맞춤기술찾기

이전대상기술

그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법

  • 기술번호 : KST2019026965
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 층 상에 선택적으로 은 나노선을 직접 성장시킬 수 있어 그래핀-은 나노선 하이브리드 패턴의 형성에 적용할 수 있는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 그래핀 층을 형성하는 단계; (B) 그래핀 층이 형성된 기판을 은 나노입자의 전구체 용액에 침지하는 단계; 및 (C) 상기 은 나노입자의 전구체 용액에 구연산염을 가하여 환원시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/30 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020170044768 (2017.04.06)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1905801-0000 (2018.10.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.06)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김의태 대전광역시 중구
2 충트란남 대전광역시 유성구
3 김동옥 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0338516-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0053086-19
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0379719-86
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0334543-30
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0520844-95
6 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0520854-41
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0514679-18
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0844704-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0844698-24
10 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2018.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0844709-49
11 등록결정서
Decision to grant
2018.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0659779-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A) 기판 상에 그래핀 층을 형성하는 단계;(B) 그래핀 층이 형성된 기판을 은 나노입자의 전구체 용액에 침지하는 단계; 및(C) 상기 은 나노입자의 전구체 용액에 구연산염을 가하여 환원시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 층은 패터닝 되어 있으며,은 나노선은 그래핀 상에만 선택적으로 성장된 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 유리, Si, SiO2 또는 고분자 수지 재질인 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 은 나노입자의 전구체는 질산은(AgNO3), 황산은(Ag2(SO4)), 초산은(silver acetate), 과염소산은(AgClO4), 염화은(AgCl), 브롬화은(AgBr) 및 불소화은(AgF)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (B) 단계의 은 나노입자 전구체 용액의 농도 또는 상기 (C) 단계의 환원 반응 조건에 의해 생성되는 은 나노선의 크기 및 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (C) 단계 이후에,(D) 수소분위기에서 열처리하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.