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대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법

  • 기술번호 : KST2019026980
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 결정성이 우수한 고품질의 그래핀층을 저온에서 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법 및 상기 방법을 이용한 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 스퍼터링에 의해 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및 (B) 티타늄 촉매 층이 형성된 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착에 의해 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 박막의 in-situ 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 32/182 (2017.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) C23C 16/02 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01)
출원번호/일자 1020170068344 (2017.06.01)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1877500-0000 (2018.07.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대한민국 대전광역시 유성구
2 박병주 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국일그래핀 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0524668-14
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0536188-25
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0536145-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0533299-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.24 1-1-2017-0819595-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0819582-16
7 면담 결과 기록서
2017.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0136366-00
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0907098-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0907115-16
10 보정의취하간주안내문
2017.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0132582-30
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0830539-13
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1217660-50
13 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1217734-30
14 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2017.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1217719-55
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0123576-43
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0352154-58
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0352137-82
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0362983-17
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0570869-31
20 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.06.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0570890-91
21 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0455110-34
22 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-1208606-28
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번호 청구항
1 1
(A) 합성수지 재질의 소자용 또는 투명전극용 기판 상에 스퍼터링에 의해 10~20nm 두께의 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및(B) 티타늄 촉매 층이 형성된 상기 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착법으로, 상기 소자용 또는 투명전극용 기판이 변형되지 않는 온도에서 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,그래핀 박막의 ID/IG는 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 박막은 단층 그래핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 (B) 단계는 기판의 온도가 400℃ 이하인 조건에서 그래핀이 성장되는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 화학기상증착법에서 반응가스는 탄소원으로 메탄, 에탄, 프로판, 아세틸렌, 메탄올, 에탄올 및 프로판올로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상과, 수소가스의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 박막은 밀리미터~센티미터 단위의 크기로 제조되는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법
9 9
(A) 합성수지 재질의 소자용 기판 상에 스퍼터링에 의해 10~20nm 두께의 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및(B) 티타늄 촉매 층이 형성된 상기 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착법으로, 상기 소자용 기판이 변형되지 않는 온도에서 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 그래핀 기반의 무전사식 전자 소자의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 (A) 단계 또는 (B) 단계 전에 소정 형상의 마스킹 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 무전사식 전자 소자의 제조방법
11 11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 (A) 단계와 (B) 단계는 모두 400℃ 이하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 무전사식 전자 소자의 제조방법
12 12
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 그래핀 박막은 단층 그래핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 무전사식 전자 소자의 제조방법
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1 KR102017251 KR 대한민국 FAMILY
2 US20180347033 US 미국 FAMILY

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