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산화아연 나노와이어를 제조하는 단계; 상기 산화아연 나노와이어에 산화티타늄 전구체를 공급하는 단계; 산화티타늄 전구체가 열분해 되며 산화티타늄 증기를 생성하는 단계; 및 산화티타늄 증기가 산화아연 나노와이어 표면에 증착되는 단계를 포함하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조방법에 있어서,상기 산화아연 나노와이어 제조단계는,실리콘 기판 상부에 탄소 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 탄소 촉매층에 산화아연 증기를 열화학 기상 증착방법을 통해서 증착시켜서 다수의 산화아연 나노와이어를 상기 실리콘 기판에 대해 수직방향으로 성장시키는 단계:를 포함하며,상기 탄소 촉매층을 형성하는 단계는,세라믹튜브의 내부에 탄소가루와 실리콘 기판이 담긴 알루미나 보트를 위치시키는 단계;질량 유량 제어기를 통해서 이송가스로서 질소가스를 1 LPM(liter per minute)의 유량으로 유동시키고, 퍼니스의 온도를 1,100 ℃ 이상으로 가열하는 단계; 및이송가스인 질소가스가 탄소가루로부터 생성된 탄소 증기를 통해서 상기 실리콘 기판에 탄소 필름을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계는,탄소필름이 코팅된 실리콘 기판과 소스물질인 아연 막대를 알루미나 보트에 담아서 세라믹튜브의 내부에 위치시키는 단계;질량 유량 제어기를 통해서 이송가스로서 아르곤과 산소의 혼합가스를 0
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제 1항에 있어서,상기 산화티타늄 전구체는 TTIP(Titanium tetra iso- propoxide)인 것을 특징으로 하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 산화티타늄 증기가 산화아연 나노와이어 표면에 산화티타늄 층을 생성하도록 하기 위해 희석가스를 공급해 주는 것을 특징으로 하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 산화티타늄 증기의 증착단계에서,증착 시간을 15∼60분으로 조절하였을 때 산화티타늄 쉘의 두께가 1 nm/분의 속도로 두꺼워지는 것을 특징으로 하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조방법
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불활성기체인 이송가스의 유량을 제어하기 위한 질량유량 제어기;상기 질량유량 제어기의 후단에 설치되며 산화티타늄 전구체가 충진되는 버블러;상기 버블러와 튜브로 연결되며 혼합가스를 혼합하는 코어튜브;상기 버블러와 코어튜브를 연결하는 튜브의 외부에 설치되는 히팅시스템;상기 코어튜브에 희석가스를 공급하기 위한 희석가스 공급부;상기 코어튜브에서 혼합된 TTIP 증기와 희석가스가 공급되어 산화 티타늄 증기를 생성하는 세라믹튜브; 및상기 세라믹튜브를 고온으로 가열하기 위한 튜브 퍼니스;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조장치
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제 8항에 있어서,상기 코어튜브의 외주면에 히팅테이프가 장착되는 것을 특징으로 하는 산화아연/산화티타늄 코어쉘 나노와이어의 제조장치
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