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산화질화갈륨 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019026989
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화갈륨와 동일한 결정구조를 가지며 산화갈륨의 넓은 밴드갭을 유지하면서도 산화갈륨에 비해 표면거칠기를 저감시키고, 밴드갭을 미세하게 조절할 수 있는 산화질화갈륨 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 갈륨과 함께 산소와 질소의 혼합 플라즈마 가스를 공급하여 분자선 에피텍시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 방법에 의해 기판 상에 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02249(2013.01) H01L 21/02249(2013.01) H01L 21/02249(2013.01) H01L 21/02249(2013.01) H01L 21/02249(2013.01)
출원번호/일자 1020170081111 (2017.06.27)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1897494-0000 (2018.09.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍순구 대한민국 대전광역시 유성구
2 고시찹 베트남 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0615190-04
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0502999-87
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0805402-80
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0805416-18
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0587610-68
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-1114178-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
갈륨과 함께 산소와 질소의 혼합 플라즈마 가스를 공급하여 분자선 에피텍시(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 방법에 의해 기판 상에 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화질화갈륨의 결정구조는 단사정(monoclinic) 구조인 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판 또는 단결정 산화갈륨 기판 또는 단결정 질화갈륨 기판 또는 탄화규소 기판인 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,박막의 성장 전에 상기 기판은 산소 플라즈마 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산소와 질소의 혼합비는 20:1~10:5의 부피비인 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화질화갈륨 박막의 밴드갭 에너지는 4
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화질화갈륨 박막의 제곱근 표면거칠기는 3nm 이하인 것을 특징으로 하는 산화질화갈륨 단결정 박막의 제조방법
8 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)유제이엘 소재부품기술개발사업 저결함(〈1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발