기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

기술번호 : KST2019027018
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 비아홀을 형성하는 비아홀 형성 단계, 상기 탄소 기판의 상면과 상기 비아홀의 내주면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계, 상기 배리어막의 상면에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계, 상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면에 진성 실리콘층을 형성하는 진성 실리콘층 형성 단계, 상기 진성 실리콘층의 상면에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계, 상기 탄소 기판의 하면에 코팅되어 형성되며 상기 비어홀을 상기 제 1 도전형 실리콘층과 직접 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계 및 상기 반사 방지막의 상면에 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 포함하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법을 개시한다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자	1020170103558 (2017.08.16)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1866384-0000 (2018.06.04)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20180612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.08.16)
심사청구항수	4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	장효식	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김호종	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 -, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2017.08.16	수리 (Accepted)	1-1-2017-0788371-73
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.12.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2018.01.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2018-0010150-69
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0041904-25
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2018-0270184-16
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0270210-16
7	등록결정서 Decision to grant	2018.04.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0267545-71

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 탄소 기판의 상면에서 하면으로 관통하는 복수 개의 비아홀을 형성하는 비아홀 형성 단계;상기 탄소 기판의 상면과 상기 비아홀의 내주면에 SiOx막과 SiNx막을 교대로 적층하여 배리어막을 형성하되, 상기 배리어막의 최상층에 상기 SiNx막을 배치하는 배리어막 형성 단계;상기 배리어막의 상면에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면에 진성 실리콘층을 형성하는 진성 실리콘층 형성 단계;상기 진성 실리콘층의 상면에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계;상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계;상기 탄소 기판의 하면에 코팅되어 형성되며 상기 비아홀을 상기 제 1 도전형 실리콘층과 직접 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계; 및상기 반사 방지막의 상면에 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 포함하고,상기 배리어막 형성 단계에서, 수소 함유량이 5% 이하가 되도록 상기 SiNx막을 형성하고,상기 제 1 도전형 실리콘층, 상기 진성 실리콘층 및 상기 제 2 도전형 실리콘을 형성하는 단계에서, 수소 함유량이 10% 이하가 되도록 상기 제 1 도전형 실리콘층, 상기 진성 실리콘층 및 상기 제 2 도전형 실리콘을 형성하고,상기 제1 도전형 실리콘층 및 상기 제2 도전형 실리콘층의 도핑량에 비례하여 상기 진성 실리콘층의 두께가 증가하고,상기 진성 실리콘층 및 상기 제2 도전형 실리콘층이 팬덤 구조로 형성되어 광 흡수층으로 작용하도록 하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 실리콘층과 진성 실리콘층 및 제 2 도전형 실리콘층은 각각 제 1 비정질 실리콘층과 진성 비정질 실리콘층 및 제 2 비정질 실리콘층이 결정화되어 형성되며, 상기 제 1 비정질 실리콘층과 진성 비정질 실리콘층 및 제 2 비정질 실리콘층은 상기 배리어막의 상면에 순차적으로 증착되어 동시에 결정화되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 진성 실리콘층의 두께는 100nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
7	7 삭제
8	8 제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계 이후에, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	(주)뉴파워프라즈마	전략적핵심소재기술개발사업	셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1866384-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20170816 출원 번호 : 1020170103558 공고 연월일 : 20180612 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20180418 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 31/18 발명의 명칭 : 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	100,500 원	2018년 06월 05일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2017.08.16	수리 (Accepted)	1-1-2017-0788371-73
2	선행기술조사의뢰서	2017.12.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2018.01.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2018-0010150-69
4	의견제출통지서	2018.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0041904-25
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2018-0270184-16
6	[명세서등 보정]보정서	2018.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0270210-16
7	등록결정서	2018.04.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0267545-71


과제고유번호	1415153889
세부과제번호	10043793
연구과제명	셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2017
연구기간	201709~201806
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020170171319]	고효율 투과형 태양전지 및 이의 제조방법	새창보기
[1020170103558]	탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015181113][충남대학교]	태양전지 제조 방법	새창보기
[KST2019026916][충남대학교]	태양 전지 제조 방법	새창보기
[KST2015180971][충남대학교]	태양전지 및 태양전지 제조 방법	새창보기
[KST2017006415][충남대학교]	무전사식 그래핀층의 형성 방법(Preparation Method of Graphene Thin Film Layer without Transferring)	새창보기
[KST2019026897][충남대학교]	탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법	새창보기
[KST2019027081][충남대학교]	터널 산화막을 포함하는 태양 전지 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2019027045][충남대학교]	전하 선택 접합 실리콘 태양 전지	새창보기
[KST2020007134][충남대학교]	전하선택 박막을 포함하는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2014057304][충남대학교]	음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 단결정 실리콘 태양전지의 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법	새창보기
[KST2019027048][충남대학교]	전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 제조 방법	새창보기
[KST2020007129][충남대학교]	전하선택 박막을 포함하는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2020014985][충남대학교]	그라파이트 기판을 이용한 태양 전지 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2019021045][충남대학교]	그라파이트 기판 및 그래핀을 이용한 태양 전지 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2022002790][충남대학교]	폴리에테르아마이드 고분자 기반 탄소나노섬유의 제조방법 및 전극소재로의 응용	새창보기
[KST2019012542][충남대학교]	이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법	새창보기
[KST2021001412][충남대학교]	후면 전극 전하 선택 접합형 태양 전지 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택