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아연주석질소 단결정박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019027029
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다양한 종류의 기판에 규칙적인 결정격자 구조를 갖는 단결정 박막을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 간단한 조건의 조절만으로 밴드갭을 용이하게 조절할 수 있는 아연주석질소 단결정박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 우르츠광 구조의 ZnO 단결정 박막 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (B) ZnO 버퍼층 상에 ZnSnN2 단결정 박막을 에피 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C30B 25/18 (2006.01.01) C30B 25/10 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC C30B 25/18(2013.01) C30B 25/18(2013.01) C30B 25/18(2013.01) C30B 25/18(2013.01) C30B 25/18(2013.01) C30B 25/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170125325 (2017.09.27)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1965368-0000 (2019.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍순구 대전광역시 유성구
2 르뒤덕 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0947333-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0004929-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0707005-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1260093-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1260081-67
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0221525-36
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번호 청구항
1 1
(A) 기판 상에 우르츠광 구조의 ZnO 단결정 박막 버퍼층을 형성하는 단계; 및(B) ZnO 버퍼층 상에 ZnSnN2 단결정 박막을 에피 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 ZnSnN2 단결정 박막은 슈도-우르츠광 구조인 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (B) 단계는 분자선 에피택시법, 스퍼터링, 화학기상증착, 원자층증착 또는 펄스레이저증착에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 (B) 단계는 분자선 에피택시법에 의해 이루어지며, ZnSnN2 단결정 박막 성장 시 Zn와 Sn의 공급비는 10:1~40:1 atom비인 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 (B) 단계에서 ZnSnN2 단결정 박막의 성장 온도는 350~550℃인 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 ZnSnN2 단결정 박막의 밴드갭 에너지는 1
7 7
제 6 항에 있어서,상기 ZnSnN2 단결정 박막의 밴드갭 에너지는 ZnSnN2 단결정 박막의 성장 온도에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법
8 8
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