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전하 선택 접합 실리콘 태양 전지

  • 기술번호 : KST2019027045
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1 도전형 실리콘 기판과,제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과, 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과, 화학적 산화층의 상면에 형성되는 알루미나막과, 알루미나막의 상면에 전이 금속 산화물로 형성되는 상부 전하 선택 박막과, 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과, 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 제 1 도전형 실리콘 박막과, 상부 전하 선택 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지를 개시한다.
Int. CL H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01)
출원번호/일자 1020170149731 (2017.11.10)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1898996-0000 (2018.09.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1118741-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0005435-97
4 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0586060-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형 실리콘 기판과,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과,상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과,상기 화학적 산화층의 상면에 형성되는 알루미나막과,상기 알루미나막의 상면에 전이 금속 산화물로 형성되는 상부 전하 선택 박막과,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과,상기 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성되는 제 1 도전형 실리콘 박막과,상기 상부 전하 선택 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및상기 제 1 도전형 실리콘 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 화학적 산화층은 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면이 SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 습식 화학적 산화 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
3 3
제 1 항에 있어서,상기 화학적 산화층은 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 알루미나막은 원자층 증착 공정으로 형성되며, 1 ~ 2nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전이 금속 산화물은 WO3, V2O5 또는 MoOx(1003c#x003c#3)인 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
6 6
제 1 항에 있어서,상기 상부 전하 선택 박막은 1 ~ 7nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 화학적 산화층과 상기 알루미나막 및 상기 상부 전하 선택 박막의 전체 두께는 10nm 이하가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
8 8
제 1 도전형 실리콘 기판과,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 위치하는 제 2 도전형 실리콘층과,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면이 산화 처리되어 형성되는 화학적 산화층과,상기 화학적 산화층의 하면에 형성되는 알루미나막과,상기 알루미나막의 하면에 전이 금속 산화물로 형성되는 하부 전하 선택 박막과,상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 박막과,상기 진성 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성되는 상부 투명 전극 및상기 하부 전하 선택 박막의 하면에 형성되는 하부 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
9 9
제 8 항에 있어서,상기 전이 금속 산화물은 Cu2O, SnO2 또는 TiO2인 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 에너지기술개발사업 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발