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탄소 기판;상기 탄소 기판 표면에 형성되며 카테콜 기능기가 표면에 형성된 제1코팅층; 및상기 제1코팅층 위에 형성되고 카테콜 기능기가 표면에 형성된 제2코팅층을 포함하고,상기 제1코팅층과 상기 제2코팅층은, 상기 제1코팅층의 카테콜 기능기에 배위결합된 이온에 상기 제2코팅층의 카테콜 기능기가 배위결합된 구조이며,상기 제2코팅층의 구성물질은 적어도 2개 이상의 카테콜 기능기를 포함하여, 적어도 하나의 카테콜 기능기는 상기 이온에 배위결합하고, 적어도 하나의 카테콜 기능기는 표면에 노출된 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극
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청구항 1에 있어서,상기 제1코팅층이 도파민으로 구성된 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극
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청구항 1에 있어서,상기 제2코팅층이 타닌산으로 구성된 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극
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청구항 1에 있어서,상기 이온이 Fe 이온인 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극
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청구항 1에 있어서,상기 탄소 기판이 다공성 탄소 나노 시트에 바인더와 도전제를 혼합하여 구성된 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극
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탄소 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 탄소 기판의 표면에 카테콜 기능기가 상부에 노출되도록 제1코팅층을 형성하는 제1코팅층 형성 단계;상기 제1코팅층의 표면에 노출된 카테콜 기능기에 이온을 배위결합시키는 이온 결합 단계; 및상기 배위결합된 이온에 카테콜 기능기를 배위결합시켜서 제2코팅층을 형성하는 제2코팅층 형성 단계를 포함하여 구성되며,상기 제2코팅층의 구성물질은 적어도 2개 이상의 카테콜 기능기를 포함하여, 적어도 하나의 카테콜 기능기는 상기 이온에 배위결합하고, 적어도 하나의 카테콜 기능기는 표면에 노출되는 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극의 제조방법
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7
청구항 6에 있어서,상기 이온 결합 단계와 상기 제2코팅층 형성 단계를 순차적으로 복수 회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극의 제조방법
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◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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청구항 6에 있어서,상기 이온 결합 단계가 상기 제1코팅층이 형성된 탄소 기판을 상기 이온을 포함하는 용액에 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극의 제조방법
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◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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청구항 6에 있어서,상기 제2코팅층 형성 단계가, 상기 제1코팅층에 이온이 배위결합된 탄소 기판을 제2코팅층 구성물질을 포함하는 용액에 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유사커패시터용 전극의 제조방법
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12
◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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분리막과 상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극 및 상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되는 유사커패시터로서,상기 양극 또는 상기 음극 중에 적어도 하나가, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 전극인 것을 특징으로 하는 유사커패시터
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분리막과 상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극 및 상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되는 유사커패시터를 제조하는 방법으로서,상기 양극 또는 상기 음극 중에 적어도 하나를 제조하는 과정이, 청구항 6 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유사커패시터의 제조방법
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