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제 1 도전형 불순물을 포함하는 제 1 도전형 실리콘 기판을 제공하는 제 1 도전형 실리콘 기판 제공 단계와,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 제 2 도전형 불순물을 포함하는 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계와,상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면을 화학적 산화 처리하여 화학적 산화층을 형성하는 화학적 산화층 형성 단계와,상기 화학적 산화층의 상면에 전이 금속 산화물을 증착시켜 상부 전하 선택 박막을 형성하는 상부 전하 선택 박막 형성 단계와,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면에 진성 비정질 실리콘 박막을 형성하는 진성 비정질 실리콘 박막 형성 단계와,상기 진성 비정질 실리콘 박막의 하면에 제 1 도전형 실리콘 박막을 형성하는 제 1 도전형 실리콘 박막 형성 단계와,상기 상부 전하 선택 박막의 상면에 상부 투명 전극을 형성하는 상부 투명 전극 형성 단계와,상기 상부 투명 전극의 상부에 상부 금속 전극을 형성하는 상부 금속 전극 형성 단계 및상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하부에 하부 금속 전극을 형성하는 하부 금속 전극 형성 단계를 포함하고,상기 상부 전하 선택 박막 형성 단계는 MoOx의 원소를 포함하는 프리커서로부터 생성되는 Mo(CO)6 소스 가스와 수증기(H2O) 또는 오존(O3)을 포함하는 산화제를 교대로 공급하는 원자층 증착 공정으로 진행되고,상기 원자층 증착 공정은 상기 오존과 상기 수증기의 공급 횟수를 조절하여 상기 MoOx 중 x값을 조절하고,상기 화학적 산화층과 상기 상부 전하 선택 박막을 포함하는 터널링 산화막의 전체 두께를 1
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제 1 항에 있어서,상기 화학적 산화층 형성 단계는 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면을 SC-1 솔루션, SC-2 솔루션, 질산, 염산, 황산, 인산 또는 불산으로 습식 화학적 산화 처리하여 상기 화학적 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 화학적 산화층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 상부 전하 선택 박막은 1 ~ 7nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 제조 방법
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제 1 도전형 불순물을 포함하는 제 1 도전형 실리콘 기판을 제공하는 제 1 도전형 실리콘 기판 제공 단계와,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 상면에 제 2 도전형 불순물을 포함하는 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계와,상기 제 1 도전형 실리콘 기판의 하면을 화학적 산화 처리하여 화학적 산화층을 0
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