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터널 산화막을 포함하는 태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019027081
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법은, 제1 도전상 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 하면에 터널링 산화층을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화층을 어닐링하고, 오존 후처리 공정을 수행하여 터널 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널 산화막의 하면에 도핑 다결정 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 도핑 다결정 실리콘층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0368 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01)
CPC H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01) H01L 31/186(2013.01)
출원번호/일자 1020180059120 (2018.05.24)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2118905-0000 (2020.05.29)
공개번호/일자 10-2019-0134011 (2019.12.04) 문서열기
공고번호/일자 (20200608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0510643-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2019-0031425-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0586946-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1046695-50
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1169978-72
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-1295065-80
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0042806-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0042823-16
10 등록결정서
Decision to grant
2020.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0359424-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전상 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 하면을 산화시켜 터널링 산화층을 형성하는 단계;상기 터널링 산화층을 어닐링하고, 오존 후처리 공정을 수행하여 터널 산화막을 형성하는 단계;상기 터널 산화막의 하면에 도핑 다결정 실리콘층을 형성하는 단계;상기 도핑 다결정 실리콘층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 터널링 산화층을 형성하는 단계에서,질산을 이용하여 상기 터널링 산화층을 1nm 내지 2nm 두께로 형성하고,1~25wt%의 오존 농도와 300℃ 내지 600℃ 온도에서 상기 터널링 산화층에 상기 오존 후처리 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판과 상기 터널 산화막의 계면의 SiOx의 조성이 실리콘(Si)보다 실리콘 산화층(SiO2)에 더 가깝도록 형성되어 상기 터널 산화막의 결함을 감소시키는,터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 에미터층의 상부에 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 에미터층의 상부에 반사 방지막을 형성하는 단계;를 포함하는,터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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4 4
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제1 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입은 n형 도전성 타입이며, 제 2 도전성 타입은 p형 도전성 타입인,터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 200nm 내지 15㎛의 두께로 증착되고,상기 도핑 다결정 실리콘층은 10nm 내지 500nm의 두께로 증착되는,터널 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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9 9
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10 10
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11 11
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)주성엔지니어링 에너지기술개발사업 100MW급 이상의 n형 이종접합 결정질 실리콘 태양전지 핵심 공정장비 기술개발