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메쉬(mesh)형 오목 패턴이 형성된 제1 산화주석(tin oxide) 박막층;상기 오목 패턴 내에 귀금속으로 형성된 귀금속 메쉬 패턴; 및상기 제1 산화주석 박막층의 표면 및 귀금속 메쉬 패턴의 표면을 커버하도록 상기 제1 산화주석 박막층 및 상기 귀금속 메쉬 패턴 상에 형성된 제2 산화주석 박막층을 포함하는,이중구조 산화주석 박막
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제1항에 있어서,전체 면적에 대해 상기 귀금속 메쉬 패턴의 면적 비율이 0% 초과 20% 이하인 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막
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제1항에 있어서,표면저항이 40 내지 60 Ω/□(ohm/square)인 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막
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제1항에 있어서,545 내지 555 nm 파장에서의 투과도가 70% 이상인 것을 특징으로 하는, 이중구조 산화주석 박막
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제1항에 있어서,상기 귀금속 메쉬 패턴은이중구조 산화주석 박막의 상기 제2 산화주석 박막층이 형성된 일 면과 마주하는 타면에서는 외부로 노출되거나,상기 일 면으로는 상기 제1 산화주석 박막층에 의해서 커버되고 상기 타면으로는 상기 제2 산화주석 박막층으로 커버되어 이중구조 산화주석 박막의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막
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메쉬가 배치된 베이스 기판 상에 산화주석으로 이루어진 박막을 형성하는 단계;상기 박막이 형성된 기판 상에서 상기 메쉬를 제거하여, 상기 메쉬에 대응하는 영역에 오목 패턴이 형성된 제1 산화주석 박막층을 형성하는 단계;상기 오목 패턴에 귀금속을 이용하여 귀금속 메쉬 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 산화주석 박막층 및 상기 귀금속 메쉬 패턴이 형성된 기판 상에, 제2 산화주석 박막층을 형성하는 단계를 포함하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 귀금속 메쉬 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 산화주석 박막층 및 상기 귀금속 메쉬 패턴이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 귀금속 메쉬 패턴을 형성하는 단계는상기 제1 산화주석 박막층이 형성된 기판 상에 귀금속을 스퍼터링하여, 귀금속 박막을 형성하는 단계;상기 제1 산화주석 박막층 및 상기 귀금속 박막이 형성된 기판을 열처리하는 단계; 및상기 열처리 된 귀금속 박막의 표면을 연마(polishing)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 350 내지 450℃에서 5 내지 15분간 수행하는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 산화주석으로 이루어진 박막을 형성하는 단계 및 상기 제2 산화주석 박막층을 형성하는 단계 각각은 주석 전구체를 저압 화학 기상 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 주석 전구체는 이부틸주석 이초산염(dibutyltin diacetate, C12H24O4Sn, DBT), 테트라메틸 주석(tetrametyl tin, C4H12Sn), 테르라부틸 주석(tetrabutyl tin, C16H36Sn), 염화주석(tin chloride, SnCl4), 및 주석 알콕시드(tin alkoxide)계 화합물 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제2 산화주석 박막층을 형성하는 단계의 저압 화학 기상 증착은 상기 산화주석으로 이루어진 박막을 형성하는 단계의 저압 화학 기상 증착 시간보다 짧은 시간 수행하는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 베이스 기판 전체 면적에 대해 상기 메쉬의 면적 비율이 0% 초과 20% 이하인 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 산화주석으로 이루어진 박막을 형성하는 단계에서,상기 메쉬의 개구에 의해 노출되는 베이스 기판의 표면에 산화주석이 형성되고, 상기 메쉬와 상기 베이스 기판 사이의 적어도 일부에도 산화주석이 형성되는 것을 특징으로 하는,이중구조 산화주석 박막의 제조 방법
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