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양자점의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019027152
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 양자점의 제조 방법은 인듐 전구체와 아연 전구체를 포함하는 제1 용액을 준비하는 단계, 제1 용액에, 인 전구체를 포함하는 제2 용액과 갈륨 전구체를 포함하는 제3 용액을 첨가하여 InP 코어와 코어 상에 형성된 GaP를 포함하는 제1 쉘층을 포함하는 InP/GaP 양자점을 형성하는 단계, 및 InP/GaP 양자점이 형성된 제1 내지 제3 용액이 혼합된 상태에서, 황 전구체를 혼합하여 제1 쉘층 상에 ZnS를 포함하는 제2 쉘층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL C09K 11/70 (2006.01.01) C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01) C09K 11/56 (2006.01.01)
CPC C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01)
출원번호/일자 1020160075162 (2016.06.16)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1797366-0000 (2017.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 서울특별시 송파구
2 박중필 대한민국 경기도 파주시 쇠재
3 권오필 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0580246-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1294641-97
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0004989-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0200601-03
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0482528-56
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0572924-67
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0572909-82
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0745906-05
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번호 청구항
1 1
인듐 전구체와 아연 전구체를 포함하는 제1 용액을 준비하는 단계;상기 제1 용액에 인 전구체를 포함하는 제2 용액과 갈륨 전구체를 포함하는 제3 용액을 첨가하여, 상기 제1, 제2 및 제3 용액들이 모두 혼합된 상태에서 GaP 형성 온도까지 점차적으로 온도를 상승시킴으로써 InP 코어와 상기 코어 상에 형성된 GaP를 포함하는 제1 쉘층을 포함하는 InP/GaP 양자점을 형성하는 단계; 및상기 InP/GaP 양자점이 형성된 제1 내지 제3 용액이 혼합된 상태에서, 황 전구체를 혼합하여 상기 제1 쉘층 상에 ZnS를 포함하는 제2 쉘층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 InP/GaP 양자점을 형성하는 단계에서 상기 GaP 형성 온도까지 온도가 상승되기 전에 GaP 형성 온도보다 낮은 InP 형성 온도에서 InP가 형성되는 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 GaP 형성 온도는 200 내지 230℃이고,상기 InP 형성 온도는 100 내지 150℃인 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 용액은 탄소수 10 내지 18을 갖는 지방산을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 황 전구체는 n-도데칸싸이올(normal dodecanethiol) 및 tert-도데칸싸이올(tert-dodecanethiol) 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 InP/GaP 양자점을 형성하는 단계와 상기 제2 쉘층을 형성하는 단계의 전체 반응시간은 5분 이상 1 시간이하인 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 인듐 전구체는 In(OAc)3이고, 상기 아연 전구체는 Zn(OAc)3이며, 상기 갈륨 전구체는 GaCl3인 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 쉘층을 형성하는 단계는상기 제1 용액을 준비하는 단계의 아연 전구체 외에 추가로 아연 전구체를 첨가하는 단계; 및상기 황 전구체 외에 추가로 황 전구체를 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,InP/GaP/ZnS 양자점의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경희대학교(국제캠퍼스) 집단연구지원 결정 기능화 공정기술 센터