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n-on-p 구조의 고효율 GaAs 박막형 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019027159
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 태양전지의 제조 방법은, 제1 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층의 하면 및 상면 중 적어도 일면 상에 변형률을 내재하는 식각 정지층을 형성하는 단계, 식각 정지층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계, 제1 전극층과 제2 기판을 결합시키는 단계, 희생층을 제거하여 활성층으로부터 제1 기판을 분리시키는 단계, 및 제1 기판 및 희생층이 제거된 활성층 면에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01)
출원번호/일자 1020160097684 (2016.07.31)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1773458-0000 (2017.08.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160047424   |   2016.04.19
법적상태 등록
심사진행상태 불수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 서울특별시 양천구
2 허준석 대한민국 서울특별시 동작구
3 문성현 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 제나 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *길 **, *층(도곡동, 지엠빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0743751-97
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0787655-21
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0027150-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0126175-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0379642-69
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0379643-15
8 등록결정서
Decision to grant
2017.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0593092-68
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0525364-42
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.03.03 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0216292-28
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2019.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0039121-71
12 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2019.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0237826-46
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0243316-69
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0044409-32
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번호 청구항
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제1 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 변형률을 내재하는 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층과 제2 기판을 결합시키는 단계;상기 희생층을 제거하여 상기 활성층으로부터 상기 제1 기판을 분리시키는 단계; 및상기 제1 기판 및 상기 희생층이 제거된 상기 활성층 면에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 활성층을 형성하는 단계는,제1 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제1 화합물 반도체층 상에 상기 제1 화합물 반도체층의 격자 상수와 다른 격자 상수를 갖는 제2 화합물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제2 화합물 반도체층은, 상기 변형률을 내재하는, 태양 전지의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제2 화합물 반도체층의 격자 상수는, 상기 제1 화합물 반도체층의 격자 상수보다 크고,상기 변형률은, 압축 변형률이고,상기 제1 기판의 분리 단계 동안, 상기 제2 화합물 반도체층의 상기 압축 변형률이 감소하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제14 항에 있어서, 상기 제1 기판의 분리 단계 동안, 상기 제2 화합물 반도체층은 상기 희생층 및 상기 제2 기판에 인장 스트레스를 가하고, 상기 희생층 및 상기 제2 기판은 인장 변형률을 내재하게 되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제1 화합물 반도체층은, 고농도의 n-타입 화합물 반도체층이고,상기 제2 화합물 반도체층은, 저농도의 p-타입 화합물 반도체층인 태양 전지의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제1 전극층은,상기 희생층에 대해 낮은 식각 선택비를 갖고, Zn, Ti, Pt, Pd, Au, Ag, 및 AuBe 중 적어도 둘 이상의 조합으로 구성되는 다중층인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제17 항에 있어서, 상기 제1 전극층은,상기 활성층 상으로부터 AuBe 층, Pt 층, 및 Au 층이 차례로 적층된 다중층인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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