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단결정 기판 상에 화합물 결정층을 형성하고, 상기 화합물 결정층 상에 기능 재료를 성장시켜 유연 소자층을 형성한 후, 상기 화합물 결정층을 제거함으로써 기능 재료를 포함하는 유연 소자를 얻는 방법으로서,상기 화합물 결정층은 NaCl, KCl, MgCl2, CaCl2, NaKCl, NaMgCl 및 NaCaCl로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 염소 화합물을 포함하여 형성되고, 상기 기능 재료의 결정 성장 특성에 따라 상기 단결정 기판의 결정 구조 및 결정 방향을 선택 사용하여, 상기 화합물 결정층이 상기 기능 재료와의 격자 불일치도가 최소화되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유연 소자층은 200℃ 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 화합물 결정층을 물에 녹여 제거함으로써 상기 단결정 기판 및 상기 기능 재료를 포함하는 유연 소자를 분리하는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방형(Cubic)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 BaTiO3, PbZrO3, 또는 BiFeO3를 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 압전 기능을 갖는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방형(Cubic)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 Si, SiGe 또는 Ge를 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 반도체 기능을 갖는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 육방형(hexagonal)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 SmN 또는 MgB2를 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 초전도 기능을 갖는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 육방형(hexagonal)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 ZnO, GaN 또는 ZnTe를 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 광반도체 기능을 갖는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 육방형(hexagonal)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 Graphene, BN, MoS2 또는 WSe2 를 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 2D 구조를 포함하는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방형(Cubic) 또는 육방형(hexagonal)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 MgO, TiN 또는 CrN를 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 내구성을 갖는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방형(Cubic) 또는 육방형(hexagonal)의 결정 구조인 것을 사용하고,상기 기능 재료로서 AgCl을 포함하는 재료를 이용하여 상기 화합물 결정층 상에 결정 성장시켜 감광 특성을 갖는 유연 소자를 얻는 것을 특징으로 하는 유연 소자의 제조방법
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