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광촉매 활성 시스템

  • 기술번호 : KST2019027288
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Fe-도핑된 반도체의 펜톤 반응에 의해 라디칼 생성을 극대화시킴으로써 광촉매의 활성을 향상시키기 위한 광촉매 활성 시스템에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0288 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) B01J 35/00 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0288(2013.01) H01L 31/0288(2013.01) H01L 31/0288(2013.01) H01L 31/0288(2013.01) H01L 31/0288(2013.01) H01L 31/0288(2013.01)
출원번호/일자 1020150167804 (2015.11.27)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1725059-0000 (2017.04.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동하 대한민국 서울특별시 마포구
2 김상욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 오영탁 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤민지 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1162837-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0030838-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0564424-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0959489-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0959459-13
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0119584-24
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.03.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0275648-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0275619-13
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0233645-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Fe-도핑된 제 1 반도체 및, 상기 제 1 반도체와 접촉하여 위치하는 제 2 반도체를 포함하는, 광촉매 활성 시스템에 있어서,상기 Fe-도핑된 제 1 반도체 및 상기 제 2 반도체는 과산화수소-함유 용액에 존재하는 것이고,상기 제 1 반도체 및 상기 제 2 반도체는 각각 p 형 또는 n 형 반도체로서, 서로 상이한 반도체이며,상기 광촉매 활성 시스템은 Fe(Ⅱ)가 연속적으로 재생(산화-환원)되어 공급되므로, 반복하여 상기 과산화수소와 반응함으로써 계속해서 수산기 라디칼이 생성되는 것인,광촉매 활성 시스템
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체 및 상기 제 2 반도체에서 빛을 흡수하여 생성된 전자가 상기 제 2 반도체로 이동하는 것인, 광촉매 활성 시스템
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체 및 상기 제 2 반도체에서 빛을 흡수하여 생성된 정공이 상기 제 1 반도체로 이동하는 것인, 광촉매 활성 시스템
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체에 도핑된 Fe와 상기 과산화수소 사이에 펜톤 반응이 진행되어 수산기 라디칼이 생성되는 것인, 광촉매 활성 시스템
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체는 C3N4, C6N7, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 광촉매 활성 시스템
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 반도체는 WO3, Bi2VO4, TiO2, ZnO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 광촉매 활성 시스템
8 8
제 1 항에 있어서,상기 Fe는 Fe(Ⅱ) 또는 Fe(Ⅲ)를 포함하는 것인, 광촉매 활성 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 이화여자대학교 산학협력단 기초연구사업(학술진흥)-중견연구자지원사업-도약연구지원사업(도전)(융합) 플라즈모닉 결합효과 극대화 발현 하이브리드 나노구조체 도출에 의한 광전환 효율 향상 연구
2 미래창조과학부 이화여자대학교 산학협력단 교육인력양성사업-기초연구성과활용지원사업-연구성과사업화지원사업 친환경기술제품 응용을 위한 고활성 나노하이브리드 광촉매 개발