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제1전극;상기 제1전극에 대향된 제2전극;상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 광활성층; 및상기 제1전극 및 상기 광활성층 사이에 개재된 전자 전송 영역;을 포함하고,상기 전자 전송 영역은 하기 화학식 1로 표시되는 제1구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 제2구조단위 중 적어도 하나를 포함한 고분자 화합물을 포함한, 광전 소자:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#상기 화학식 1 및 2 중,L1 및 L2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C1-C20헤테로아릴렌기 중에서 선택되고,a1 및 a2는 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 3, 4 또는 5이고,R1 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C20시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴티오기 및 치환 또는 비치환된 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,상기 치환된 C1-C20알킬렌기, 치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환된 C2-C20알키닐렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C20아릴렌기, 치환된 C1-C20헤테로아릴렌기, 치환된 C1-C20알킬기, 치환된 C2-C20알케닐기, 치환된 C2-C20알키닐기, 치환된 C1-C20알콕시기, 치환된 C3-C20시클로알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C20아릴기, 치환된 C6-C20아릴옥시기, 치환된 C6-C20아릴티오기 및 치환된 C1-C20헤테로아릴기의 치환기 중 적어도 하나는,중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C3-C20시클로알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택된다
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제1항에 있어서,상기 a1 및 a2는 0인, 광전 소자
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제1항에 있어서,상기 R1 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, iso-펜틸기, neo-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, iso-헥실기, n-헵틸기, sec-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, sec-노닐기 및 n-데실기 중에서 선택된, 광전 소자
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제1항에 있어서,하기 화학식 3으로 표시되는 제3구조단위를 더 포함한, 광전 소자:003c#화학식 3003e#상기 화학식 3 중, 상기 L11, a11, R11 및 R13 내지 R15에 대한 설명은 각각 L1, a1 및 R1에 대한 설명을 참조하고,상기 L1, a1 및 R1에 대한 설명은 제1항에 기재된 바와 같다
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제1항에 있어서,상기 고분자 화합물은 하기 화학식 4-1 내지 4-3 중 하나로 표시되는, 광전 소자:003c#화학식 4-1003e#003c#화학식 4-2003e#003c#화학식 4-3003e#상기 화학식 4-1 내지 4-3 중,n 및 m은 서로 독립적으로, 5 내지 100,000의 정수 중에서 선택되고,상기 L11, a11, R11 및 R13 내지 R15에 대한 설명은 각각 L1, a1 및 R1에 대한 설명을 참조하고,상기 L1, L2, a1, a2 및 R1 내지 R8에 대한 설명은 제1항에 기재된 바와 같되,단, 상기 화학식 4-2 중, R1 및 R2는 동시에 수소가 아니다
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제1항에 있어서,상기 고분자 화합물은 하기 화합물 1 내지 7 중 하나인, 광전 소자:상기 화합물 1 내지 7 중, n 및 m은 서로 독립적으로, 5 내지 100,000의 정수 중에서 선택된다
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제1항에 있어서,상기 전자 전송 영역은 제1층 및 전자 전송층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 전자 전송층 및 상기 광활성층 사이에 개재되고,상기 제1층에 상기 고분자 화합물이 포함된, 광전 소자
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제7항에 있어서,상기 전자 전송층은 ZnO, TiO2, Nb2O5, Al2O3, ZrO2, SnO2 또는 AZO를 포함한, 광전 소자
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제7항에 있어서,상기 전자 전송층과 상기 제1층이 직접 접촉된, 광전 소자
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제1항에 있어서,상기 광전 소자는 광전지, 광 검출기, 태양전지, 포토다이오드 또는 포토트랜지스터인, 광전 소자
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