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트렌치가 형성된 기판;상기 트렌치를 가로지르도록 배치된 반도체 진동막;상기 반도체 진동막으로부터 이격되며, 상기 기판에 수직인 방향에서 관찰할 시 상기 반도체 진동막과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된, 진동전극; 및상기 반도체 진동막의 일단에 위치한 제1전극과 타단에 위치한 제2전극;을 구비하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나를 통해 상기 반도체 진동막에 전류를 흘려 줄열을 발생시킴으로써 상기 반도체 진동막 상에 증착된 증착물질층의 적어도 일부를 제거할 수 있는, 박막 두께 측정장치
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제1항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극에 양단이 전기적으로 연결된 직류전압원;상기 진동전극에 주파수가 가변할 수 있는 교류전압을 인가할 수 있는 교류전압원; 및상기 제1전극과 상기 제2전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결되어 상기 반도체 진동막에 흐르는 전류량을 측정하는 전류측정부;를 더 구비하는, 박막 두께 측정장치
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제2항에 있어서,상기 직류전압원은 상기 반도체 진동막의 공진주파수를 측정하기 위한 제1직류전압과, 상기 반도체 진동막에서 줄열이 발생하도록 하기 위한 제2직류전압을 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 인가할 수 있는, 박막 두께 측정장치
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제3항에 있어서,상기 제2직류전압의 크기는 상기 제1직류전압보다 큰, 박막 두께 측정장치
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제2항에 있어서,상기 전류측정부가 측정하는 전류의 변화주기가 가장 짧을 시 상기 교류전압원이 상기 진동전극에 인가하는 교류전압의 주파수를 박막이 증착된 상태의 상기 반도체 진동막의 공진주파수로 결정하는 주파수결정부를 더 구비하는, 박막 두께 측정장치
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제2항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극에 양단이 전기적으로 연결되어 상기 반도체 진동막에서 줄열이 발생하도록 하기 위한 전류를 상기 반도체 진동막에 공급할 수 있는 줄열전압원을 더 구비하는, 박막 두께 측정장치
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극을 차폐하며, 상기 반도체 진동막의 중앙부를 포함한 상기 반도체 진동막의 일부에만 대응하는 개구를 갖는 차폐부를 더 구비하는, 박막 두께 측정장치
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제7항에 있어서,상기 반도체 진동막 상에 위치한 물체의 무게 변화에 따른 상기 반도체 진동막의 공진주파수 변화 데이터를 갖는 데이터 저장부; 및상기 반도체 진동막에 박막이 증착된 상태에서 결정된 공진주파수에 대응하는 박막의 무게를 상기 데이터 저장부에 저장된 데이터를 이용하여 결정하고, 결정된 무게를 박막을 형성하는 물질의 밀도와 상기 차폐부의 개구의 면적으로 순차적으로 나눔으로써 박막의 두께를 결정하는, 두께 결정부;를 더 구비하는, 박막 두께 측정장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 진동막은 그래핀 또는 탄소나노튜브를 포함하는, 박막 두께 측정장치
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챔버;상기 챔버 내에 위치하는 증착원;상기 챔버 내에 위치하며 상기 증착원에서 방출된 물질이 증착될 기판을 지지할 수 있는 스테이지; 및상기 챔버 내에 위치하는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 박막 두께 측정장치;를 구비하는, 증착장치
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