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전하수송층을 포함하는 유기 광전변환 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019027449
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 광전변환 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 유기 광전변환 소자는 두 층의 전하수송층을 포함하여 고효율의 전하이동도를 구현할 수 있으며, 에너지 변환효율이 우수하다. 또한, 상기 유기 광전변환 소자는 봉지공정을 거치지 않고도, 기존의 봉지공정을 적용한 소자와 같은 수준의 장기 안정성을 확보함으로써, 신뢰성이 높다. 아울러, 저온에서 용액공정을 통해 제조하여 생산비용이 경제적이다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01)
CPC H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01)
출원번호/일자 1020160090818 (2016.07.18)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1815773-0000 (2017.12.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문두경 대한민국 서울특별시 서초구
2 최민희 대한민국 경기도 부천시 소사로**번길 *
3 이의진 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0693837-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0042133-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0198639-22
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0471785-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0585644-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0585643-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0685641-15
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1069724-01
10 법정기간연장승인서
 2017.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0159263-57
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1185838-95
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.11.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1185837-49
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0873271-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전하수송층;광활성층; 및제2 전하수송층이 순차로 적층되며,상기 제1 및 제2 전하수송층은 하기 화학식 1로 나타내는 반복단위를 포함하는 전하수송 화합물; 및 금속산화물 전구체를 혼합하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 광전변환 소자: [화학식 1]Ar1-은 하기 화학식 2로 표시되며,Ar2는 하기 화학식 3으로 표시되고,n은 1 내지 1,000,000의 정수이고,[화학식 2] 화학식 2에서, A는 탄소수 3 내지 16의 환형 구조이며, 환형 구조 A를 형성하는 탄소 중 어느 하나 이상은 N 또는 Si로 치환 또는 비치환된 구조이고, B는 환형 구조 A에 양 말단이 연결된 고리 구조를 형성하고, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌, 탄소수 6 내지 16의 아릴렌 또는 탄소수 3 내지 15의 헤테로 아릴렌 구조이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 이중결합, -O-, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌; 탄소수 1 내지 6의 알콕실렌; 싸이오펜; 탄소수 1 내지 25의 알킬시기가 치환된 싸이오펜; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 싸이오펜; 셀레노펜; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 셀레노펜; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 셀레노펜; 피롤; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 피롤; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 피롤; 아릴렌기; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 아릴렌기; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 아릴렌기; 아릴기; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 아릴기; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 아릴기; 싸이아졸; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 싸이아졸; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 싸이아졸; 융합된 방향족 고리화합물을 갖는 탄소수 10 내지 24의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나이고,X1 및 X2는 각각 독립적으로 SO3­, SO3­M+, N(CH3)2, N(CH3)3+Br­ 또는 N(C2H4OH)2이며,X1 및 X2가 SO3-인 경우의 수(N1)에 대한 X1 및 X2가 SO3-M+인 경우의 수(D1)의 비율(D1/N1)이 0
2 2
제 1 항에 있어서,화학식 2의 정의 부분에서, A는 탄소수 3 내지 16의 환형 구조이며, 환형 구조 A를 형성하는 탄소 중 어느 하나 이상은 N 또는 Si로 치환 또는 비치환된 구조이고, B는 환형 구조 A에 양 말단이 연결된 고리 구조를 형성하고, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 구조이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 단일 결합, -O-, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 구조이고,X1 및 X2는 각각 독립적으로 SO3­, SO3­M+, N(CH3)2, N(CH3)3+Br­ 또는 N(C2H4OH)2이며,X1 및 X2가 SO3-인 경우의 수(N1)에 대한 X1 및 X2가 SO3-M+인 경우의 수(D1)의 비율(D1/N1)이 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유기 광전변환 소자는, 알루미늄(Al), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 금 (Au), 은 (Ag), 플로린이 도핑된 주석 산화물 (fluorine doped tin oxide; FTO), 알루미늄이 도핑된 아연 산화물 (aluminium doped zink oxide, AZO), 인듐 아연 산화물 (indium zink oxide, IZO), 인듐 아연 주석 산화물 (indium zink tin oxide, IZTO) ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 안티모니 주석 산화물 (antimony tin oxide, ATO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 전극을 포함하는 유기 광전변환 소자
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 전구체는 아세트산 아연 (zinc acetate), 티타늄 이소프로폭사이드 (titanium(IV) isopropoxide), 몰리브데늄 디아세틸아세토네이트 디옥사이드 (molybdenum diacetylacetonate dioxide), 니켈 아세틸아세토네이트 (nickel(II) acetylacetonate), 니켈 아세테이트 (nickel(II) acetate), 텅스텐 에톡사이드 (tungsten(Ⅴ,Ⅵ) ethoxide), 인몰리브덴산 (phosphomolybdic acid) 및 포스포텅스텐산 (phosphotungstic acid)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 광전변환 소자
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,제1 및 제2 전하수송층의 두께는 각각 평균 5 내지 50 nm 범위인 것을 특징으로 하는 유기 광전변환 소자
8 8
제1 전하수송층을 형성하는 단계;상기 제1 전하수송층 일면에 광활성층을 형성하는 단계; 및제1 전하수승층과 반대면의 광활성층 상에 상온에서 제2 전하수송층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2 전하수송층은 하기 화학식 1로 나타내는 반복단위를 포함하는 전하수송 화합물; 및 금속산화물 전구체를 혼합하여 형성하며,상기 전하수송 화합물은,전하수송 화합물의 전구체를 소듐퍼설페이트를 포함하는 용액에 혼합하여 3시간 이상 반응시켜 제조한 것을 특징으로 하는 유기 광전변환 소자의 제조방법:[화학식 1]Ar1-은 하기 화학식 2로 표시되며,Ar2는 하기 화학식 3으로 표시되고,n은 1 내지 1,000,000의 정수이고,[화학식 2] 화학식 2에서, A는 탄소수 3 내지 16의 환형 구조이며, 환형 구조 A를 형성하는 탄소 중 어느 하나 이상은 N 또는 Si로 치환 또는 비치환된 구조이고, B는 환형 구조 A에 양 말단이 연결된 고리 구조를 형성하고, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌, 탄소수 6 내지 16의 아릴렌 또는 탄소수 3 내지 15의 헤테로 아릴렌 구조이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 이중결합, -O-, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌; 탄소수 1 내지 6의 알콕실렌; 싸이오펜; 탄소수 1 내지 25의 알킬시기가 치환된 싸이오펜; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 싸이오펜; 셀레노펜; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 셀레노펜; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 셀레노펜; 피롤; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 피롤; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 피롤; 아릴렌기; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 아릴렌기; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 아릴렌기; 아릴기; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 아릴기; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 아릴기; 싸이아졸; 탄소수 1 내지 25의 알킬기가 치환된 싸이아졸; 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환된 싸이아졸; 융합된 방향족 고리화합물을 갖는 탄소수 10 내지 24의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나이고,X1 및 X2는 각각 독립적으로 SO3­, SO3­M+, N(CH3)2, N(CH3)3+Br­ 또는 N(C2H4OH)2이며,X1 및 X2가 SO3-인 경우의 수(N1)에 대한 X1 및 X2가 SO3-M+인 경우의 수(D1)의 비율(D1/N1)이 0
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제1 전하수송층을 형성하는 단계는 금속산화물 전구체와 화학식 1로 나타내는 화합물의 중량비가 1:0
10 10
제 8 항에 있어서,상기 제2 전하수송층을 형성하는 단계는 금속산화물 전구체와 화학식 1로 나타내는 화합물의 중량비가 1:0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 건국대학교 산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 12% 이상의 광전변환효율을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 양자점 하이브리드 구조 박막 태양 전지 소재 및 소자 연구
2 산업통상자원부 건국대학교 산학협력단 산업기술혁신사업-에너지기술개발사업 유연유기태양전지 모듈 및 이를 적용한 off-grid 지능형 광고 미디어 제품 개발