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중공 와이어 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019027462
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중공 와이어 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 중공 와이어는 실리콘 매트릭스 내에 금속 입자를 포함하여 우수한 광학적 특성을 나타내며, 내부에 중공 구조를 포함하고 있어 약물, DNA 또는 바이오 물질을 운반 가능한 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/48 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC H01L 21/4885(2013.01) H01L 21/4885(2013.01) H01L 21/4885(2013.01) H01L 21/4885(2013.01) H01L 21/4885(2013.01)
출원번호/일자 1020160136442 (2016.10.20)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1833143-0000 (2018.02.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동진 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 진창현 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1019358-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0105342-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0500012-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0905541-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0905540-50
7 등록결정서
Decision to grant
2018.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0049698-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평균 길이가 50 내지 500 ㎛ 범위이고, 길이 방향으로 구분되는 아래의 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 와이어 구조이고,(ⅰ) 중공 로드 형태이고, D1의 외직경 평균값을 갖는 제1 영역; 및(ⅱ) 상기 제1 영역의 일측 말단에 형성되고, 중공 구조이며, D2의 가장 긴 외직경의 평균값을 갖는 제2 영역을 포함하며,상기 D2는 D1 보다 2배 이상 큰 수이고,상기 와이어는 하기 화학식 1로 나타내는 실리콘 매트릭스 및 상기 실리콘 매트릭스 내에 분산된 금속 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 중공 와이어:[화학식 1]SiOx상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤2이다
2 2
제 1 항에 있어서,제2 영역의 길이(L2)에 대한 제1 영역의 길이(L1)의 비율(L1/L2)이 1 내지 30인 것을 특징으로 하는 중공 와이어
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제2 영역은 하기 일반식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 중공 와이어:[일반식 1](1) D2a 003c# D2b(2) D2c 003c# D2b이때, D2a는 제2 영역의 말단에서부터 길이방향으로 1/4 지점의 외직경을 의미하고,D2b는 제2 영역의 말단에서부터 길이방향으로 2/4 지점의 외직경을 의미하며,D2c는 제2 영역의 말단에서부터 길이방향으로 3/4 지점의 외직경을 의미한다
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 입자는 주석, 망간, 아연, 마그네슘 및 비스무스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중공 와이어
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제 1 항에 있어서,실리콘 매트릭스 내에 금속 입자의 비율은 실리콘(Si) 100 원자%를 기준으로 0
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제 1 항에 있어서,제1 영역의 외직경의 평균값(D1) 0
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제 1 항에 있어서,제2 영역의 가장 긴 외직경의 평균값(D2)은 1 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 중공 와이어
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10 10
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11 11
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13 13
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