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중공와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019027515
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중공와이어의 제조방법에 관한 것으로, 중공와이어의 제조방법은 가열온도, 가열시간 및 금속 산화물 제공량 중 어느 하나 이상을 제어하여 중공와이어의 성장을 결정함으로써, 촉매제 및 분말 소스를 직접적으로 제공하지 않고, 간접적인 방법을 통해 중공와이어를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 24/43(2013.01) H01L 24/43(2013.01) H01L 24/43(2013.01)
출원번호/일자 1020170107340 (2017.08.24)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1940067-0000 (2019.01.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동진 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 진창현 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0820830-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0107188-34
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0047770-40
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0649317-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1154199-36
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1154198-91
8 등록결정서
Decision to grant
2019.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0018773-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
중공 로드 형태의 제1 영역; 및 구형의 입체적 형상을 구현한 제2 영역으로 구분되는 중공와이어의 제조방법에 있어서,금속 산화물 및 탄소 공급원 존재하에서 규소(Si)기판을 가열하여 금속 원소를 기판에 흡착시켜 중공와이어를 성장시키는 단계를 포함하고,중공와이어를 성장시키는 단계는, 0
2 2
제1항에 있어서,중공와이어를 성장시키는 단계는,0
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,금속 산화물은 주석(Sn), 망간(Mn), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 및 비스무스(Bi)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 중공와이어의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,탄소 공급원은 그래핀, 그라파이트, 탄소나노튜브 및 풀러렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 탄소 화합물인 중공와이어의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제2항에 있어서,중공와이어를 성장시키는 단계는, 0
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 건국대학교 산학협력단 건국대학교 산학협력단 학술진흥연구비 용액 공정 기반 금속산화물 나노 구조물을 이용한 박막 트랜지스터의 제작