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기판;상기 기판 위에 적층되는 게이트 전극;상기 기판 위에 적층되고, 상기 게이트 전극과 이격되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 기판 및 상기 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 제1 전극을 향하여 연장되는 그래핀층;상기 게이트 전극 및 상기 그래핀층 사이에 형성되는 게이트 절연층; 및상기 제1 전극과 상기 기판 사이에 형성되고, 상기 기판, 상기 제1 전극, 상기 그래핀층 및 상기 게이트 절연층과 접촉하도록 형성되는 2차원 반도체를 포함하고,상기 2차원 반도체는,제1 두께로 형성되고, 상기 기판 위에 직접 적층되며, 상면이 상기 제1 전극과 접촉하는 제1 레이어; 및제2 두께로 형성되고, 상기 기판 위에 직접 적층되며, 상면이 상기 게이트 절연층 및 상기 그래핀층과 접촉하는 제2 레이어를 포함하는 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 기판은,반도체 기판 및 부도체 기판 중에서 적어도 하나로 구현되는 광 검출기
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제2항에 있어서,상기 반도체 기판은,실리콘, 게르마늄, 실리콘-게르마늄, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 반도체 CNT(semiconducting CNT), MoS2, IZO 및 GIZO 중에서 어느 하나인 광 검출기
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제2항에 있어서,상기 부도체 기판은,SiO2 및 Si 중에서 적어도 하나를 포함하는 광 검출기
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삭제
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제1항에 있어서,상기 제1 레이어는 상기 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 상기 그래핀층과 제2 접합을 형성하는 광 검출기
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제6항에 있어서,상기 제1 두께는,상기 제2 두께와 동일한 두께 및 상이한 두께 중에서 어느 하나인 광 검출기
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제6항에 있어서,상기 제1 접합은,쇼트키 접합 및 오믹 접합 중에서 어느 하나이고,상기 제2 접합은,상기 쇼트키 접합 및 상기 오믹 접합 중에서 어느 하나인 광 검출기
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9
제1항에 있어서상기 2차원 반도체는,이황화 텅스텐, 전이금속 칼코게나이드 화합물(Transition Metal Dichalcogenides(TMDs) 및 흑린(black phosphorus) 중에서 적어도 하나인 광 검출기
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제9항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드 화합물은,WSe2, WTe2, MoS2, MoSe2, 및 MoTe2 중에서 적어도 하나를 포함하는 광 검출기
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11
제1항에 있어서,상기 그래핀층 및 상기 제1 전극 사이에 형성되는 절연층을 더 포함하는 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은,상기 기판에 직접적으로 접촉되고, 상기 기판 및 상기 게이트 절연층 사이에 형성되는 광 검출기
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복수의 컬러 픽셀들 및 IR(infrared ray) 대역의 빛을 검출하기 위해 배리스터 소자 기반의 광 검출기를 포함하는 IR 픽셀을 포함하는 픽셀 어레이를 포함하고,상기 광 검출기는,기판;상기 기판 위에 적층되는 게이트 전극;상기 기판 위에 적층되고, 상기 게이트 전극과 이격되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 기판 및 상기 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 제1 전극을 향하여 연장되는 그래핀층;상기 게이트 전극 및 상기 그래핀층 사이에 형성되는 게이트 절연층; 및상기 제1 전극과 상기 기판 사이에 형성되고, 상기 기판, 상기 제1 전극, 상기 그래핀층 및 상기 게이트 절연층과 접촉하도록 형성되는 2차원 반도체를 포함하고,상기 2차원 반도체는,제1 두께로 형성되고, 상기 기판 위에 직접 적층되며, 상면이 상기 제1 전극과 접촉하는 제1 레이어; 및제2 두께로 형성되고, 상기 기판 위에 직접 적층되며, 상면이 상기 게이트 절연층 및 상기 그래핀층과 접촉하는 제2 레이어를 포함하는 이미지 센서
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제13항에 있어서,상기 기판은,반도체 기판 및 부도체 기판 중에서 적어도 하나로 구현되는 이미지 센서
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제14항에 있어서,상기 반도체 기판은,실리콘, 게르마늄, 실리콘-게르마늄, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 반도체, 반도체 CNT(semiconducting CNT), MoS2, IZO 및 GIZO 중에서 어느 하나인 이미지 센서
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제14항에 있어서,상기 부도체 기판은,SiO2 및 Si 중에서 적어도 하나를 포함하는 이미지 센서
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삭제
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제13항에 있어서,상기 제1 레이어는 상기 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 상기 그래핀층과 제2 접합을 형성하는 이미지 센서
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제18항에 있어서,상기 제1 두께는,상기 제2 두께와 동일한 두께 및 상이한 두께 중에서 어느 하나인 이미지 센서
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제18항에 있어서,상기 제1 접합은,쇼트키 접합 및 오믹 접합 중에서 어느 하나이고,상기 제2 접합은,상기 쇼트키 접합 및 상기 오믹 접합 중에서 어느 하나인 이미지 센서
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제13항에 있어서상기 2차원 반도체는,이황화 텅스텐, 전이금속 칼코게나이드 화합물(Transition Metal Dichalcogenides(TMDs) 및 흑린(black phosphorus) 중에서 적어도 하나인 이미지 센서
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제21항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드 화합물은,WSe2, WTe2, MoS2, MoSe2, 및 MoTe2 중에서 적어도 하나를 포함하는 이미지 센서
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제13항에 있어서,상기 그래핀층 및 상기 제1 전극 사이에 형성되는 절연층을 더 포함하는 이미지 센서
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제13항에 있어서,상기 게이트 전극은,상기 기판에 직접적으로 접촉되고, 상기 기판 및 상기 게이트 절연층 사이에 형성되는 이미지 센서
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