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다중 양자점 기반 고감도 생체분자 검출법

  • 기술번호 : KST2019027532
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무기물 코어 입자, 양자점 포설층, 실리카/양자점 복합쉘 구조를 갖는 다중 양자점 도핑 나노입자를 높은 점유면적과 안정한 결합을 유지하면서 제조하여 생체분자 검출시 개선된 발광효율(QY)과 밝기(brightness)를 제공함에 따라 바이오플랫폼 및 고감도 생체분자 검출법을 비롯한 생물학적 용도를 제공하는 효과가 있다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/08 (2006.01.01)
CPC C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01)
출원번호/일자 1020170162959 (2017.11.30)
출원인 (주)바이오스퀘어, 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1960616-0000 (2019.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170126515   |   2017.09.28
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180074251;
심사청구여부/일자 Y (2017.11.30)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)바이오스퀘어 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전봉현 서울특별시 광진구
2 윤성욱 경기도 안양시 동안구
3 김광석 경기도 용인시 수지구
4 이윤식 경기도 안양시 동안구
5 최동옥 경기도 용인시 기흥구
6 팜수안헝 서울특별시 광진구
7 김태한 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 곽현규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** A&C빌딩 *층(STN국제특허법률사무소)
2 이성하 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** A&C빌딩 *층(STN국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)바이오스퀘어 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1197545-48
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1197364-81
3 보정요구서
Request for Amendment		 2017.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0179606-83
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1301513-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1309217-27
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.31 수리 (Accepted) 9-1-2018-0004050-44
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0140274-14
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0419006-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5080685-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2018-5088291-10
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0517089-58
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0633007-13
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0632983-71
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0633033-01
16 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0104925-63
17 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination		 2018.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0706813-33
18 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0127199-05
19 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0861102-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무기물 코어 입자; 상기 코어 입자의 표면에 복수의 양자점이 결합되어 상기 코어 입자 표면을 양자점이 전체적으로 둘러싸는 양자점 포설층; 및 상기 양자점 포설층을 감싸는 실리카/양자점 복합쉘을 포함하되,상기 양자점 포설층 내 양자점들은 상기 코어 입자 표면을 둘러싸며, 이때 둘러싸는 형태가 복수층으로 적층되는 것인 양자점 도핑 나노입자
2 2
제1 항에 있어서,상기 양자점 포설층을 구성하는 양자점은 상기 실리카/양자점 복합쉘을 구성하는 실리카 물질과 가교 결합을 형성하며, 상기 가교 결합을 통해 형성된 실리카 물질에 상기 양자점이 랜덤 결합된 구조를 제공하는 것인 양자점 도핑 나노입자
3 3
제2 항에 있어서, 상기 가교 결합은 양 말단에 작용기를 구비하되, 일 말단은 상기 양자점 표면에 결합하는 작용기를 포함하고 다른 말단은 상기 무기물 코어 입자 혹은 실리카/양자점 복합쉘을 구성하는 실리카 입자와 결합가능한 작용기를 갖는 양자점 결합자리 제공물질에 의해 형성되는 것인 양자점 도핑 나노입자
4 4
제1 항에 있어서,상기 양자점 포설층은 상기 무기물 코어 입자의 외곽부에 소수성 유기화합물로 코팅된 양자점이 다중 도핑되어 형성된 포설층이 상기 무기물 코어 입자를 순차적으로 둘러싸는 층 구조를 형성하는 것인 양자점 도핑 나노입자
5 5
제1 항에 있어서,상기 실리카/양자점 복합쉘은 상기 양자점 포설층의 외곽부에 형성된 실리카/양자점 복합층이 상기 양자점 포설층을 순차적으로 둘러싸는 복수의 층 구조를 형성하는 것인 양자점 도핑 나노입자
6 6
제1 항에 있어서,상기 실리카/양자점 복합쉘을 감싸는 실리카계 외피를 더 포함하는 것인 양자점 도핑 나노입자
7 7
제1 항에 있어서,상기 양자점은 II-VI족 계열의 반도체, III-V족 계열의 반도체 또는 IV-IV족 계열의 반도체로 이루어진 단일 코어 구조이거나, 상기 단일 코어 구조에 II-IV족 계열의 반도체가 캡핑된 코어/캡 구조인 양자점 도핑 나노입자
8 8
(a) 무기물 코어 입자를 양자점 결합자리 제공물질로 표면 개질하는 단계; (b) 상기 (a) 단계의 반응물에 소수성 유기화합물로 코팅된 양자점을 주입하고 반응시켜 상기 무기물 코어 입자의 외곽을 따라 양자점이 감싸는 양자점 포설층을 형성하는 단계; (c) 상기 (b) 단계의 반응물을 양자점 결합자리 제공물질로 표면 개질하는 단계; (d) 상기 (c) 단계의 반응물에 염기를 공급하고 반응시켜 상기 양자점 외포층의 표면에 양자점이 추가 결합할 자리를 형성하는 단계; 및(e) 상기 (d) 단계의 반응물에 실란올 반응물질과 염기를 주입하고 반응 및 정제하여 여러 겹의 양자점이 상기 무기물 코어 입자를 순차적으로 둘러싸는 복수의 층 구조를 갖는 실리카/양자점 복합쉘을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 도핑 나노입자의 제조방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 (c) 단계와 (d) 단계를 소정 횟수만큼 반복 수행한 다음 (e) 단계를 수행하는 것인 양자점 도핑 나노입자의 제조방법
10 10
제8 항에 있어서,상기 (a) 단계는 무기물 코어 입자에 양자점 결합자리 제공물질을 반응시켜 표면에 양자점 결합자리가 형성된 코어를 제조하는 것인 양자점 도핑 나노입자의 제조방법
11 11
제8 항에 있어서,상기 (b) 단계의 반응물에 소수성 유기 용매를 주입하고 반응시켜 상기 코어 표면의 양자점 결합자리에 미결합 양자점을 결합하고 반응을 안정화하는 것인 양자점 도핑 나노입자의 제조방법
12 12
제8 항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 (b) 단계의 반응물에 양자점 결합자리 제공물질을 추가로 주입하고 반응시켜 일 말단의 작용기가 상기 양자점 포설층을 구성하는 양자점의 표면에 결합되고, 다른 말단의 작용기가 하기 (e) 단계의 실리카/양자점 복합쉘을 구성하는 실리카 물질과 결합할 자리로 제공하는 것인 양자점 도핑 나노입자의 제조방법
13 13
제8 항에 있어서,상기 양자점, 무기물 코어 입자 및 상기 결합자리 제공물질의 부피비가 1: 0
14 14
제8 항에 있어서,상기 무기물 코어 입자, 양자점 포설층, 및 실리카/양자점 복합쉘의 두께비가 1:0
15 15
제1 항의 양자점 도핑 나노입자가 표면에 고정되어 있는 센싱막(sensing membrane)을 포함하는 생물학적 검출키트로서, 상기 양자점 도핑 나노입자는 무기물 코어 입자; 상기 무기물 코어 입자에 양자점이 도핑되어 형성되는 양자점 포설층; 및 상기 양자점 포설층을 감싸는 실리카/양자점 복합쉘을 포함하는 것인 생물학적 검출키트
16 16
제1 항의 양자점 도핑 나노입자가 자성비드와 샌드위치 어세이 구조를 형성하는 바이오플랫폼으로서, 상기 양자점 도핑 나노입자는 무기물 코어 입자; 상기 무기물 코어 입자에 양자점이 도핑되어 형성되는 양자점 포설층; 및 상기 양자점 포설층을 감싸는 실리카/양자점 복합쉘을 포함하는 것인 바이오플랫폼(bioplatform)
17 17
제16 항에 있어서, 상기 자성비드는 폴리스티렌 시드와 스티렌 단량체의 혼합물을 스티렌 유도체, 유화제, 지용성 퍼옥사이드계 중합개시제와 공중합시킨 비드상 공중합체로서, 상기 공중합체의 골격을 구성하고 있는 스티렌 고리에 술폰산 관능기가 도입되어 있고, 상기 술폰산 관능기에 철 이온이 결합되어 있으면서 외곽을 둘러싸도록 실리카 쉘을 포함하고 자성을 띠는 비드상의 폴리(스티렌-co-스티렌 유도체) 공중합체인 바이오플랫폼
18 18
제17 항에 있어서,상기 자성비드는, a) 스티렌 단량체를 분산 안정화제, 라디칼 개시제와 함께 유화제 프리 에멀젼 중합시켜 폴리스티렌 시드를 준비하는 단계; b) 상기 폴리스티렌 시드를 가소제 하에 프리팽윤된 폴리스티렌 시드를 제조하는 단계; c) 상기 프리팽윤된 폴리스티렌 시드와 스티렌 단량체의 혼합물을 스티렌 유도체, 유화제, 지용성 퍼옥사이드계 중합개시제와 함께 수분산 공중합하여 비드상의 폴리(스티렌-co-디비닐벤젠) 공중합체를 제조하는 단계; d) 상기 비드상의 폴리(스티렌-co-디비닐벤젠) 공중합체를 술폰화제와 반응시켜 술폰산 관능기를 포함하는 비드상의 폴리(스티렌-co-디비닐벤젠) 공중합체를 제조하는 단계; e) 상기 술폰산 관능기를 포함하는 비드상의 폴리(스티렌-co-디비닐벤젠) 공중합체를 초상자성 이온 전구체를 사용하여 자화시키는 단계; 및 f) 상기 자성을 띠는 비드상의 폴리(스티렌-co-디비닐벤젠) 공중합체의 외곽을 둘러싸도록 실리카 쉘을 형성하는 단계를 통해 제조된 것인 바이오플랫폼
19 19
제18 항에 있어서,상기 d) 단계는 술폰화제로서 클로로술폰산, 아세틸설페이트 및 진한 황산 중에서 선택된 1종 이상을 사용하여 60 ~ 95℃의 온도 범위에서 수행하는 것인 바이오플랫폼
20 20
제18 항에 있어서,상기 e) 단계는 염화제1철(FeCl2) 및 염화제2철(FeCl3)의 혼합물을 사용하여 수행하며, 상기 혼합물의 몰비는 FeCl3
21 21
제1 항의 양자점 도핑 나노입자가 표면에 고정되어 있는 센싱막(sensing membrane)을 포함하는 생물학적 검출키트에 생물학적 시료를 주입하여 반응을 수행하는 단계; 및 상기 반응으로부터 방출되는 형광강도를 측정하는 단계를 포함하되, 상기 양자점 도핑 나노입자는 무기물 코어 입자; 상기 무기물 코어 입자에 양자점이 도핑되어 형성되는 양자점 포설층; 및 상기 양자점 포설층을 감싸는 실리카/양자점 복합쉘을 포함하는 것인 생물학적 검출방법
22 22
제21 항에 있어서, 상기 양자점 도핑 나노입자는 다양한 양자점 사이즈를 갖는 나노입자들을 병용하여 각 나노입자의 쉘 표면을 생물학적 시료(들)에 대한 (멀티)라벨링 자리로 작용하는 것인 생물학적 검출 방법
23 23
제21 항에 있어서, 상기 형광강도를 광학적 방법에 의하거나 전기적 신호로 변환하여 측정하는 것인 생물학적 검출 방법
24 24
제1 항의 양자점 도핑 나노입자가 자성비드와 샌드위치 어세이 구조를 형성하는 바이오플랫폼에 생물학적 시료를 주입하여 반응을 수행하는 단계; 및 상기 반응으로부터 방출되는 형광강도를 측정하는 단계를 포함하되, 상기 양자점 도핑 나노입자는 무기물 코어 입자; 상기 무기물 코어 입자에 양자점이 도핑되어 형성되는 양자점 포설층; 및 상기 양자점 포설층을 감싸는 실리카/양자점 복합쉘을 포함하는 것인 생물학적 검출 방법
25 25
제24 항에 있어서, 상기 바이오플랫폼을 구성하는 양자점 도핑 나노입자는 다양한 양자점 사이즈를 갖는 나노입자들을 병용하여 각 나노입자의 쉘 표면을 생물학적 시료(들)에 대한 (멀티)라벨링 자리로 작용하는 것인 생물학적 검출 방법
26 26
제24 항에 있어서, 상기 형광강도를 광학적 방법에 의하거나 전기적 신호로 변환하여 측정하는 것인 생물학적 검출 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN111183202 CN 중국 FAMILY
2 EP03666850 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 KR102012716 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2019066567 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN111183202 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3666850 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 KR102012716 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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5 WO2019066567 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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