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(a) 황동석(chalcopyrite; CuFeS2)을 준비하는 단계;(b) 상기 황동석에 염화구리(cuprous chloride; CuCl)를 첨가하여 혼합한 후에 석영도가니에 담고, 석영관에 배치한 후 불활성 기체를 투입하여 불활성 분위기를 만드는 단계;(c) 상기 석영관을 가열하여 반응시켜 황화동 및 미반응 잔류 염화구리를 포함하는 생성 잔여물을 형성하는 단계;(d) 상기 석영도가니 내의 황화동 및 미반응 잔류 염화구리를 포함하는 생성 잔여물을 회수하여 침출시키는 단계; 및(e) 침출 후 황화동을 포함하는 생성 잔여물을 세정하고 건조하는 단계를 포함하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황동석에 염화구리를 첨가하는 단계에서, 황을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황동석을 준비하는 단계에서 황동석의 평균 입자 크기는, 75 - 105 μm, 105 - 150 μm, 150 - 300 μm, 및 300 - 450 μm의 범위로 이루어지는 군에서 선택된 어느 한 범위인 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황화동을 포함하는 생성 잔여물을 세정하고 건조한 이후에 상온에서 냉각하는 단계를 더 포함하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 석영관을 800 K 내지 1100K 로 5시간 동안 가열하는 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 석영도가니에 황 분말을 첨가하여 반응계 내의 황의 화학 포텐셜을 제어하는 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서,상기 석영관을 가열하여 황동석과 염화구리를 반응시켜 황동석 내의 철을 기체상 염화철(FeCl2)로 증발 제거하는 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서,상기 석영관을 가열하여 황동석과 염화구리를 반응시켜 회수되는 황화동 중의 구리함량을 70
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제1항에 있어서,상기 석영관에 불활성 기체를 200 sccm의 유량으로 투입하고, 석영관의 내부압력을 1 atm으로 유지하는 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제10항에 있어서,상기 불활성 기체는 헬륨(He), 네온(Ne) 및 아르곤(Ar)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 황동석 내 철의 선택적 제거를 통한 고품위 황화동 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황화동 및 미반응 잔류 염화구리를 포함하는 생성 잔여물을 회수하여 침출시키는 단계는,10% 염산(HCl) 및 8
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