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산 처리된 탄소나노튜브, 그래핀 옥사이드, 전도성 고분자 단량체 및 용매를 혼합한 혼합용액을 준비하는 단계(단계 1);상기 혼합용액의 단량체를 중합 반응시키는 단계(단계 2);상기 중합 반응된 혼합용액을 이류체 노즐을 통해 에어로졸 액적으로 분무하는 단계(단계 3a);상기 분무된 액적을 불활성 가스를 통해 가열로로 이송하며 건조하여 자가 조립된 구겨진 그래핀 산화물 복합체를 형성한 다음, 불활성 가스 분위기에서 환원 열처리하는 단계(단계 3b); 및상기 환원된 복합체, 그래핀 옥사이드 및 용매를 혼합하고 집전체 상에 도포한 다음 열처리하여 용매를 제거하는 단계(단계 4);를 포함하는, 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 탄소나노튜브 산 처리는,탄소나노튜브를 황산 및 질산을 포함하는 산 용액에 분산시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 탄소나노튜브 및 그래핀 옥사이드의 혼합 중량비는,0
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합용액의 그래핀 옥사이드 농도는,0
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5 |
5
제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합용액의 단량체 농도는,5 mM 내지 50 mM인 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 전도성 고분자 단량체는,아닐린, 피롤, 티오펜, 아세틸렌, 퓨란, 페닐렌 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2는,상기 혼합용액에 중합 개시제를 첨가하고 초음파 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 단계 3a의 이류체 노즐의 직경은,1
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제1항에 있어서,상기 단계 3b는,150 ℃ 내지 250 ℃의 온도로 건조가 수행되고, 200 ℃ 내지 500 ℃의 온도로 1 시간 내지 10 시간 동안 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 4의 혼합은,상기 복합체 : 그래핀 옥사이드의 중량비가 1 : 0
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제1항에 있어서,상기 단계 4의 열처리는,200 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 1 시간 내지 10 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 그래핀 복합체를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 제조방법
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구겨진 형상의 그래핀 시트; 상기 그래핀 시트 내부에 포함된 탄소나노튜브; 및 전도성 고분자;를 포함하고, 구형이고, 평균 입자 크기가 1 ㎛ 내지 10 ㎛이며, 상기 탄소나노튜브는 상기 그래핀 시트 내에서 물리적 가교점을 형성하는 구겨진 형상의 그래핀-탄소나노튜브-고분자 복합체;상기 복합체가 일면에 복수 개 형성된 집전체; 및상기 집전체와 복합체를 고정하고, 상기 복합체와 복합체를 고정하는 그래핀 시트;를 포함하는, 슈퍼커패시터 전극
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상호 대향 배치된 한 쌍의 전극;상기 한 쌍의 전극 사이에 구비되는 전해질; 및상기 한 쌍의 전극 사이에 구비되고, 전기적 단락을 억제하는 분리막;을 포함하고,상기 전극은 제13항의 전극으로 구비되는, 슈퍼커패시터
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