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실리콘, 탄소나노튜브, 그래핀 옥사이드 및 용매를 포함하는 혼합물을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 혼합물을 분무 건조하고, 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하고상기 단계 1의 혼합물의 탄소나노튜브 농도는 0
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 실리콘은,폐 실리콘 슬러지를 산 침출하고, 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수하여 마련되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체 제조방법
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제2항에 있어서,상기 산 침출 후 건조단계를 더 포함하고,상기 건조단계가 수행된 폐 실리콘 슬러지를 포함하는 용액을 초음파 처리 후 원심분리하여 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수하는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체 제조방법
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제3항에 있어서,상기 초음파 처리는,1 시간 내지 10 시간 동안 수행되고,상기 원심분리는,100 rpm 내지 1000 rpm의 회전속도로 1 분 내지 60 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 탄소나노튜브는,탄소나노튜브를 황산 및 질산을 포함하는 산 용액에 분산 처리하여 마련되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합물의 실리콘 농도는,0
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 혼합물의 그래핀 옥사이드 농도는,0
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제1항에 있어서,상기 단계 2는,상기 단계 1의 혼합물을 이류체 노즐을 통해 에어로졸 액적으로 분무하는 단계(단계 2a); 및상기 분무된 액적을 운송가스를 통해 관형 가열로로 통과시켜 건조하고, 환원 열처리하는 단계(단계 2b);를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체 제조방법
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제1항 또는 제9항에 있어서,상기 단계 2 또는 단계 2b의 열처리 온도는,500 ℃ 내지 1000 ℃인 것을 특징으로 하는 구겨진 형상의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체 제조방법
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폐 실리콘 슬러지를 산 침출한 다음, 침출액으로부터 실리콘을 선택적으로 분리 및 회수하고, 탄소나노튜브를 산 처리하는 단계(단계 0);상기 회수된 실리콘, 산 처리된 탄소나노튜브, 그래핀 옥사이드 및 용매를 포함하는 혼합물을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 혼합물을 이류체 노즐을 통해 에어로졸 액적으로 분무하는 단계(단계 2a); 및상기 분무된 액적을 운송가스를 통해 관형 가열로로 통과시켜 건조하고, 환원 열처리하는 단계(단계 2b);를 포함하고,상기 단계 1의 혼합물의 탄소나노튜브 농도는 0
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복수 개의 실리콘 입자들이 응집된 실리콘 응집체;상기 실리콘 응집체를 둘러싸는 복수 개의 구겨진 그래핀; 및상기 실리콘 입자들 사이, 상기 구겨진 그래핀들 사이 및 상기 실리콘 입자와 구겨진 그래핀 사이 가교점을 형성하는 복수 개의 탄소나노튜브;를 포함하고,상기 실리콘 : 탄소나노튜브 중량비는 100 : 6
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양극; 제12항의 실리콘-탄소나노튜브-그래핀 복합체를 포함하는 음극;상기 양극 및 음극 사이에 구비되는 분리막; 및 전해질;을 포함하는, 이차전지
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