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기판과, 상기 기판 상에 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물;상기 반도체 적층구조물의 일면 상에 제공되는 제1 반사층; 및상기 반도체 적층구조물의 일면과 대향하는 상기 반도체 적층구조물의 타면 상에 제공되는 제2 반사층;을 포함하고,상기 반도체 적층구조물의 측면에는 상기 활성층에서 발광된 빛이 출사되는 제1 광추출면이 형성되며,상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층은 입사되는 빛을 내부 반사시켜 상기 제1 광추출면으로 출사되도록 하고,상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 어느 하나의 반사층은 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작게 형성되어 상기 반도체 적층구조물의 일면 또는 타면의 가장자리부에 제2 광추출면을 형성하며,상기 반도체 적층구조물은 상기 제1 광추출면에 상기 기판의 일면과 평행한 방향으로 길게 연장 형성되는 광추출구조를 포함하고,상기 제1 광추출면은 상기 제2 광추출면보다 많은 빛이 출사되는 발광다이오드칩
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청구항 1에 있어서,상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층은 상기 반도체 적층구조물을 향하는 면에 광반사 구조를 포함하는 발광다이오드칩
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 적층구조물의 일면 또는 타면 상에 형성되는 요철 구조;를 더 포함하는 발광다이오드칩
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청구항 4에 있어서,상기 요철 구조는 상기 반도체 적층구조물의 일면 또는 타면 상에 형성되는 광패턴층인 발광다이오드칩
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청구항 1에 있어서,상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작은 반사층의 면적은 상기 반도체 적층구조물의 면적의 40 내지 70 %인 발광다이오드칩
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복수로 제공되는 청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 발광다이오드칩;복수의 상기 발광다이오드칩이 실장되며, 전기적 배선이 형성된 하부판; 및상기 하부판 상에 상기 발광다이오드칩으로부터 이격되어 제공되는 도광판;을 포함하고,상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작은 반사층은 상기 도광판과 대향하는 면광원
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청구항 7에 있어서,상기 발광다이오드칩의 상기 도광판과 대향하는 면 및 측면 상에 제공되는 형광체;를 더 포함하는 면광원
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청구항 8에 있어서,상기 형광체는 상기 발광다이오드칩의 상기 도광판과 대향하는 면의 가장자리부에 제공되어 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작은 반사층의 적어도 일부를 노출시키는 면광원
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청구항 7에 있어서,상기 도광판의 상기 발광다이오드칩과 대향하는 면에 제공되는 반사방지 코팅층;을 더 포함하는 면광원
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청구항 7에 있어서,복수의 상기 발광다이오드칩은 상기 발광다이오드칩과 상기 도광판 사이의 간격보다 넓은 간격으로 서로 이격되어 실장되는 면광원
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청구항 7에 있어서,상기 하부판은 상기 도광판과 대향하는 면에 반사면을 포함하는 면광원
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기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하여 반도체 적층구조물을 형성하는 단계;상기 반도체 적층구조물의 일면 상에 제1 반사층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 적층구조물의 일면과 대향하는 상기 반도체 적층구조물의 타면 상에 제2 반사층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 반사층을 형성하는 단계 또는 상기 제2 반사층을 형성하는 단계에서는, 상기 반도체 적층구조물의 측면에 상기 활성층에서 발광된 빛이 출사되는 제1 광추출면을 형성하며, 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 중 어느 하나의 반사층을 상기 반도체 적층구조물의 면적보다 작은 면적으로 형성하여 상기 반도체 적층구조물의 일면 또는 타면의 가장자리부에 제2 광추출면을 형성하고,상기 반도체 적층구조물은 상기 제1 광추출면에 상기 기판의 일면과 평행한 방향으로 길게 연장 형성되는 광추출구조를 포함하며,상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층은 입사되는 빛을 내부 반사시켜 상기 제1 광추출면으로 출사되도록 하고,상기 제1 광추출면에서 상기 제2 광추출면보다 많은 빛이 출사되도록 하는 발광다이오드칩의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 반도체 적층구조물의 일면 또는 타면 상에 요철 구조를 형성하는 단계;를 더 포함하는 발광다이오드칩의 제조방법
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청구항 14에 있어서,상기 요철 구조를 형성하는 단계는,상기 반도체 적층구조물의 일면 또는 타면 상에 유기 재료로 이루어진 중간층을 제공하는 단계;상기 중간층을 성형하는 단계; 및성형된 상기 중간층을 경화시켜 광패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드칩의 제조방법
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청구항 15에 있어서,상기 중간층을 성형하는 단계에서는 상기 중간층을 금형으로 가압하여 성형하는 발광다이오드칩의 제조방법
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