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기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하여 반도체 적층구조물을 형성하는 과정;상기 p형 반도체층 상에 서로 이격되어 2차원적으로 배열되도록 복수의 p형 전극을 형성하는 과정; 및상기 복수의 p형 전극 사이로 노출된 p형 반도체층에 자가정렬 방식으로 아이솔레이션부를 형성하는 과정;을 포함하고,상기 아이솔레이션부를 형성하는 과정에서는 상기 노출된 p형 반도체층의 적어도 일부를 식각하거나, 상기 노출된 p형 반도체층의 적어도 일부의 전기절연성을 증대시키며,상기 아이솔레이션부를 형성하는 과정 이후에,상기 활성층 및 상기 n형 반도체층은 상기 아이솔레이션부를 형성하는 과정 이전과 동일한 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 아이솔레이션부를 형성하는 과정에서는 상기 복수의 p형 전극을 마스크로 사용하여 상기 아이솔레이션부를 형성하는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 노출된 p형 반도체층의 적어도 일부의 전기절연성을 증대시키는 경우에는 이온 주입, 플라즈마 처리, 전자빔 조사 중 적어도 어느 하나를 이용하는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하는 과정; 및노출된 n형 반도체층 상에 상기 n형 반도체층의 공통 전극으로 n형 전극을 형성하는 과정;을 더 포함하는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 p형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하는 과정에서는 상기 p형 반도체층 및 상기 활성층의 가장자리부를 식각하고,상기 n형 전극을 형성하는 과정에서는 상기 가장자리부가 식각된 활성층 및 p형 반도체층의 외측에 상기 n형 전극을 형성하는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 p형 전극 상에 층간절연층을 형성하는 과정;상기 복수의 p형 전극 사이의 층간절연층을 관통하여 상기 n형 반도체층을 노출하는 비아홀을 형성하는 과정; 및상기 비아홀에 도전성 물질을 충진하는 과정;을 더 포함하는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층 상에 상기 복수의 p형 전극의 배열과 동일한 패턴으로 반사층을 형성하는 과정;을 더 포함하고,상기 복수의 p형 전극을 형성하는 과정 및 상기 반사층을 형성하는 과정은 단일 마스크를 이용하여 수행되는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 2, 청구항 4, 및 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 마이크로 어레이 발광다이오드; 및상기 복수의 p형 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제1 컨택패드와, 상기 마이크로 어레이 발광다이오드의 n형 전극과 전기적으로 연결되는 제2 컨택패드를 포함하며, 상기 마이크로 어레이 발광다이오드가 실장되는 회로 기판;을 포함하는 조명 장치
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청구항 10에 있어서,상기 기판은 광투과성 기판이고, 상기 회로 기판은 열전도성 기판인 조명 장치
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청구항 10에 있어서,열전도성이며, 상기 기판과 상기 회로 기판 사이에 충진되는 언더필층;을 더 포함하는 조명 장치
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청구항 10에 있어서,상기 회로 기판은 상기 p형 전극에 연결되어 상기 p형 전극에 공급되는 전류를 스위칭하는 트랜지스터부를 포함하는 조명 장치
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