1 |
1
다층의 단위열전시트로 형성되고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 각각 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 병렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치로서,상기 단위열전시트에는 다수개의 상기 p 형 반도체소자 및 상기 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부와, 상기 열전반도체부가 서로 전기적 접점을 형성하여 열전현상이 발생하는 접점부와, 상기 접점부에서 형성된 전기에너지가 이동되도록 상기 열전반도체부에 연결되고 양극 및 음극으로 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 전극부에는 양극 및 음극에 동일한 형태로 구성되기 위해 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 전극부는 상기 단위열전시트 중 상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
5 |
5
다층의 단위열전시트로 형성되고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 서로 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 직렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치로서,상기 단위열전시트에는 다수개의 p 형 반도체소자 및 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부와, 상기 열전반도체부가 서로 전기적 접점을 형성하여 열전현상이 발생하는 접점부와, 상기 접점부에서 형성된 전기에너지가 이동되도록 열전반도체부에 연결되고 양극 및 음극으로 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
6 |
6
제5항에 있어서, 상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
7 |
7
제5항에 있어서,상기 단위열전시트의 각층에는 양극 및 음극이 교대로 형성되는 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
8 |
8
제5항에 있어서,상기 전극부의 양극 또는 음극 중 어느 하나는 상기 단위열전시트 중 상층 또는 하층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
9 |
9
제1항 또는 제5항 중 어느 한 항 이상에 있어서, 상기 접점부의 적층되는 구조는 계단형으로 형성되어 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
|
10 |
10
다층의 단위열전시트로 형성시키고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되어, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 각각 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 병렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치의 제조방법으로서,a) 적층되는 형상으로 형성된 상기 단위열전시트를 구비하는 단계;b) 상기 단위열전시트 내에 다수개의 상기 p 형 반도체소자 및 상기 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부를 형성시키는 단계;c) 상기 p 형 및 n 형 반도체를 전기적으로 연결하여 접점부를 형성시키는 단계;d) 상기 접점부에 전달된 전기에너지가 이동되도록 상기 열전반도체부에 연결되어 양극 및 음극이 형성 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부를 형성시키는 단계; 및e) 상기 열전반도체부의 위에 1∼10μm의 두께를 갖는 전기적 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하고,상기 d) 단계에 있어서 상기 접점부의 적층구조는, 계단형으로 형성되어 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
12 |
12
제10항에 있어서,상기 전극부에는 양극 및 음극에 동일한 형태로 구성되기 위해 비아홀을 형성시키는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
13 |
13
제10항에 있어서,상기 전극부는 다층의 상기 단위열전시트 중 상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
14 |
14
다층의 단위열전시트로 형성되고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 서로 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 직렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치로서,a) 적층되는 형상으로 형성된 상기 단위열전시트를 구비하는 단계;b) 상기 단위열전시트 내에 다수개의 상기 p 형 반도체소자 및 상기 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부를 형성시키는 단계;c) 상기 p 형 및 n 형 반도체를 전기적으로 연결하여 접점부를 형성시키는 단계;d) 상기 접점부에 전달된 전기에너지가 이동되도록 상기 열전반도체부에 연결되어 양극 및 음극이 형성 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부를 형성시키는 단계; 및,e) 상기 열전반도체부의 위에 1∼10μm의 두께를 갖는 전기적 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하고,상기 d) 단계에 있어서 상기 접점부의 적층구조는 계단형으로 형성되어 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
15 |
15
제14항에 있어서,상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
16 |
16
제14항에 있어서,상기 단위열전시트의 각층에는 양극 및 음극이 교대로 형성되는 비아홀을 형성시키는 것을 특징으로하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|
17 |
17
제14항에 있어서,상기 전극부의 양극 또는 음극 중 어느 하나는 상기 단위열전시트 중 상층 또는 하층에 형성시키는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
|