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유연 박막 다층형 열전발전장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019028043
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단위모듈을 직렬, 혹은 병렬로 연결하여 전압 증폭 혹은 전류 증폭을 자유롭게 선택할 수 있어, 활용하고자 하는 용도에 맞게 사용되는 다층형 열전발전장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.이를 구현하기 위해 본 발명은 박막형 유연기판 위에 다층의 단위열전시트로 형성되고, 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 각각 수직 및 수평의 동일한 방향으로 결합되어 전기적 병렬회로 구성의 형태로 형성되는 혹은 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 각각 수직 및 수평으로 교차된 형태로 결합되어 전기적 직렬회로 구성의 형태로 형성되는 열전발전장치로서, 단위열전시트에는 다수개의 p 형 반도체소자 및 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부와, 열전반도체부에서 서로 전기적 접점을 형성하여 열전현상이 발생되는 접점부와, 접점부에서 형성된 전기에너지가 이동되도록 열전반도체부에 연결되고 양극 및 음극으로 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부가 형성된다.여기서, 접점부는 계단형으로 적층시켜 외부열원에 노출되는 접점부의 면적을 최대화하였다.
Int. CL H01L 35/32 (2006.01.01) H01L 35/02 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01) H01L 35/30 (2006.01.01) H01L 35/24 (2006.01.01)
CPC H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01)
출원번호/일자 1020160057542 (2016.05.11)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1795931-0000 (2017.11.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용규 대한민국 대전광역시 서구
2 권수용 대한민국 대전광역시 유성구
3 송재용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0448960-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0294868-01
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0550826-86
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0550825-30
5 등록결정서
Decision to grant
2017.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0743522-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다층의 단위열전시트로 형성되고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 각각 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 병렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치로서,상기 단위열전시트에는 다수개의 상기 p 형 반도체소자 및 상기 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부와, 상기 열전반도체부가 서로 전기적 접점을 형성하여 열전현상이 발생하는 접점부와, 상기 접점부에서 형성된 전기에너지가 이동되도록 상기 열전반도체부에 연결되고 양극 및 음극으로 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 전극부에는 양극 및 음극에 동일한 형태로 구성되기 위해 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
3 3
제1항에 있어서,상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
4 4
제1항에 있어서,상기 전극부는 상기 단위열전시트 중 상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
5 5
다층의 단위열전시트로 형성되고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 서로 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 직렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치로서,상기 단위열전시트에는 다수개의 p 형 반도체소자 및 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부와, 상기 열전반도체부가 서로 전기적 접점을 형성하여 열전현상이 발생하는 접점부와, 상기 접점부에서 형성된 전기에너지가 이동되도록 열전반도체부에 연결되고 양극 및 음극으로 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
7 7
제5항에 있어서,상기 단위열전시트의 각층에는 양극 및 음극이 교대로 형성되는 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
8 8
제5항에 있어서,상기 전극부의 양극 또는 음극 중 어느 하나는 상기 단위열전시트 중 상층 또는 하층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
9 9
제1항 또는 제5항 중 어느 한 항 이상에 있어서, 상기 접점부의 적층되는 구조는 계단형으로 형성되어 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치
10 10
다층의 단위열전시트로 형성시키고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되어, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 각각 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 병렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치의 제조방법으로서,a) 적층되는 형상으로 형성된 상기 단위열전시트를 구비하는 단계;b) 상기 단위열전시트 내에 다수개의 상기 p 형 반도체소자 및 상기 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부를 형성시키는 단계;c) 상기 p 형 및 n 형 반도체를 전기적으로 연결하여 접점부를 형성시키는 단계;d) 상기 접점부에 전달된 전기에너지가 이동되도록 상기 열전반도체부에 연결되어 양극 및 음극이 형성 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부를 형성시키는 단계; 및e) 상기 열전반도체부의 위에 1∼10μm의 두께를 갖는 전기적 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하고,상기 d) 단계에 있어서 상기 접점부의 적층구조는, 계단형으로 형성되어 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 전극부에는 양극 및 음극에 동일한 형태로 구성되기 위해 비아홀을 형성시키는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 전극부는 다층의 상기 단위열전시트 중 상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
14 14
다층의 단위열전시트로 형성되고, 상기 단위열전시트에는 p 형 반도체소자와 n 형 반도체소자가 형성되며, 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 각각 수평 방향의 일정한 간격으로 교번됨과 동시에 상기 p 형 반도체소자와 상기 n 형 반도체소자가 동축된 위치에서 서로 결합되도록 다층으로 형성된 전기적 직렬회로 구성의 형태로 p/n 반도체 결합되는 열전발전장치로서,a) 적층되는 형상으로 형성된 상기 단위열전시트를 구비하는 단계;b) 상기 단위열전시트 내에 다수개의 상기 p 형 반도체소자 및 상기 n 형 반도체소자가 교번되어 형성된 열전반도체부를 형성시키는 단계;c) 상기 p 형 및 n 형 반도체를 전기적으로 연결하여 접점부를 형성시키는 단계;d) 상기 접점부에 전달된 전기에너지가 이동되도록 상기 열전반도체부에 연결되어 양극 및 음극이 형성 전환되어 외부로 에너지를 전달하는 전극부를 형성시키는 단계; 및,e) 상기 열전반도체부의 위에 1∼10μm의 두께를 갖는 전기적 절연막을 형성시키는 단계; 를 포함하고,상기 d) 단계에 있어서 상기 접점부의 적층구조는 계단형으로 형성되어 결합되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 단위열전시트는 폴리이미드 필름, PDMS 필름과 같이 유연하고 구부러지는 폴리머 계열의 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
16 16
제14항에 있어서,상기 단위열전시트의 각층에는 양극 및 음극이 교대로 형성되는 비아홀을 형성시키는 것을 특징으로하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
17 17
제14항에 있어서,상기 전극부의 양극 또는 음극 중 어느 하나는 상기 단위열전시트 중 상층 또는 하층에 형성시키는 것을 특징으로 하는 유연 박막 다층형 열전발전장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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