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금속 디스크 어레이를 구비한 적층형 태양전지

  • 기술번호 : KST2019028066
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적층형 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및 서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이을 포함한다. 상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 감소한다. 상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시킨다. 상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입된다.
Int. CL H01L 31/046 (2014.01.01) H01L 31/05 (2014.01.01) H01L 31/054 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01)
출원번호/일자 1020160155683 (2016.11.22)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1783971-0000 (2017.09.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상준 대한민국 대전광역시 유성구
2 김준오 대한민국 경기도 용인시 처인구
3 김영호 대한민국 강원도 원주시 개
4 강상우 대한민국 대전광역시 유성구
5 김태완 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1140220-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0100036-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0479859-28
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0701640-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0701502-07
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0653465-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이을 포함하고,상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 증가하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시키고,상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입되고,상기 금속 디스크 어레이는:매트릭스 형태로 배열된 하부 금속 디스크 어레이 시드층;상기 하부 금속 디스크 어레이 시드층 상에 정렬되어 배치된 중간 금속 디스크 어레이층; 및상기 중간 금속 디스크 어레이 층 상이 정렬되어 배치된 금속 디스크 어레이 오믹 콘택층을 포함하고,상기 하부 금속 디스크 어레이 시드층은 20 nm 이하의 크롬(Cr) 또는 Ti/Pt 이고,상기 중간 금속 디스크 어레이 층은 금(Au) 또는 은(Ag)이고,상기 금속 디스크 어레이 오믹 콘택층은 팔라듐(Pd)인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
2 2
제1 항에 있어서,상기 복수의 서브 셀들은 상부에서 하부로 진행함에 따라 차례로 적층된 제1 내지 제4 서브 셀을 포함하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 제2 서브 셀과 제3 서브 셀 사이에 배치되고,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
3 3
제2 항에 있어서,상기 금속 디스크 어레이의 피치는 100 nm 내지 300 nm인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
4 4
기판;상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이를 포함하고,상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 증가하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시키고,상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입되고,상기 복수의 서브 셀들은 상부에서 하부로 진행함에 따라 차례로 적층된 제1 내지 제4 서브 셀을 포함하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 제2 서브 셀과 제3 서브 셀 사이에 배치되고,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm이고, 제1 서브 셀은: n-InGaP 베이스층;상기 베이스층 상에 배치된 p+-InGaP 에미터층;상기 p+-InGaP 에미터층 상에 배치된 p+-AlInP 창문층; 및 상기 p+-AlInP 창문층 상에 배치된 p+-GaAs 컨택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
5 5
기판;상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이를 포함하고,상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 증가하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시키고,상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입되고,상기 복수의 서브 셀들은 상부에서 하부로 진행함에 따라 차례로 적층된 제1 내지 제4 서브 셀을 포함하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 제2 서브 셀과 제3 서브 셀 사이에 배치되고,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm이고, 제2 서브 셀은:n++-GaAs 콘택층; n++-GaAs 콘택층 상에 배치된 n-AlGaAs 백 서피스 필드층(back-surface field layer);상기 n-AlGaAs 백 서피스 필드층(back-surface field layer) 상에 배치된 n-GaAs 베이스층;상기 n-GaAs 베이스층 상에 배치된 p+-GaAs 에미터층;상기 p+-GaAs 에미터층 상에 배치된 p+-AlGaAs 창문층; 및상기 p+-AlGaAs 창문층 상에 배치된 p+-GaAs 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
6 6
기판;상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이를 포함하고,상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 증가하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시키고,상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입되고,상기 복수의 서브 셀들은 상부에서 하부로 진행함에 따라 차례로 적층된 제1 내지 제4 서브 셀을 포함하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 제2 서브 셀과 제3 서브 셀 사이에 배치되고,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm이고, 제3 서브 셀은:n-InP 백 서피스 필드층(back-surface field layer);상기 n-InP 백 서피스 필드층 상에 배치된 n-InGaAsP 베이스층;상기 n-InGaAsP 베이스층 상에 배치된 p+-InGaAsP 에미터층;상기 p+-InGaAsP 에미터층 상에 배치된 p+-InP 창문층;상기 p+-InP 창문층 상에 배치된 p++-InGaAs 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
7 7
기판;상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이를 포함하고,상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 증가하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시키고,상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입되고,상기 복수의 서브 셀들은 상부에서 하부로 진행함에 따라 차례로 적층된 제1 내지 제4 서브 셀을 포함하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 제2 서브 셀과 제3 서브 셀 사이에 배치되고,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm이고, 제4 서브 셀은:n+-InP 콘택층;상기 n+-InP 콘택층 상에 배치된 n-InP 백 서피스 필드층(back-surface field layer);상기 n-InP 백 서피스 필드층 상에 배치된 n-InGaAs 베이스층;상기 n-InGaAs 베이스층 상에 배치된 p+-InGaAs 에미터층;상기 p+-InGaAs 에미터층 상에 배치된 p+-InP 창문층; 및상기 p+-InP 창문층 상에 배치된 p+-InP 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
8 8
기판;상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이를 포함하고,상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 증가하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시키고,상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입되고,상기 복수의 서브 셀들은 상부에서 하부로 진행함에 따라 차례로 적층된 제1 내지 제4 서브 셀을 포함하고,상기 금속 디스크 어레이는 상기 제2 서브 셀과 제3 서브 셀 사이에 배치되고,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm이고, 상기 제1 서브 셀과 상기 제2 서브 셀 사이에 배치된 GaAs 터널접합층; 및상기 제3 서브 셀과 상기 제4 서브 셀 사이에 배치된 InGaAs 터널접합층을 더 포함하고,상기 GaAs 터널접합층은:p++-GaAs 터널 접합층; 및상기 p++-GaAs 터널 접합층 상에 배치된 n++-GaAs 터널 접합층을 포함하고,상기 InGaAs 터널접합층은:p++-InGaAs 터널 접합층; 및상기 p++-InGaAs 터널 접합층 상에 배치된 n++-InGaAs 터널 접합층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
9 9
제4항 내지 제8항 중에서 어느 하나의 항에 있어서,상기 기판은:플렉서블 필름 기판;상기 플렉서블 필름 기판 상에 배치된 금속 시드층; 및상기 금속 시드층 상에 배치된 금속 전극층;을 더 포함하고,보조 금속 전극층은 상기 제4 서브 셀과 상기 금속 전극층 사이에 배치되고 상기 제4 서브 셀에 정렬되고,상기 금속 시드층은 크롬(Cr)이고,상기 금속 전극층 및 상기 보조 금속 전극층은 금(Au)인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지
10 10
삭제
11 11
GaAs 기판 상에 제1 AlAs 희생층, 제1 서브 셀, GaAs 터널 접합층, 및 제2 서브 셀을 차례로 적층하는 단계; InP 기판 상에 제2 AlAs 희생층, 제3 서브 셀, InGaAs 터널 접합층, 및 제4 서브 셀을 차례로 적층하는 단계;상기 InP 기판의 상기 제4 서브 셀 상에 보조 금속 전극층을 형성하는 단계;상기 보조 금속 전극층이 형성된 상기 InP 기판을 패터닝하는 단계;유연성 필름 기판 상에 금속 시드층 및 금속 전극층을 차례로 적층하는 단계;상기 유연성 필름 기판의 상기 금속 전극층과 상기 패터닝된 InP 기판의 상기 보조 금속 전극층을 서로 본딩시키는 단계;본딩된 InP 기판과 유연성 필름 기판에서 상기 InP 기판과 상기 제3 서브 셀 사이에 배치된 상기 제2 AlAs 희생층을 제거하여 상기 InP 기판을 제거하는 단계;상기 유연성 필름 기판에서 상기 제3 서브 셀 상에 금속 디스크 어레이를 형성하는 단계;상기 금속 디스크 어레이와 상기 제2 서브 셀이 마주보록 배치하고 압착시키어 서로 본딩시키는 단계;상기 GaAs 기판과 상기 제1 서브 셀 사이에 배치된 제1 AlAs 희생층을 제거하여 상기 GaAs 기판을 제거하는 단계; 및노출된 제1 서브 셀 상에 금속 핑거 전극 패턴을 형성하는 단계하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양전지의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 유연성 필름 기판에서 상기 제3 서브 셀 상에 금속 디스크 어레이를 형성하는 단계는:상기 유연성 필름 기판에서 상기 제3 서브 셀 상에 매트릭스 형태로 배열된 하부 금속 디스크 어레이 시드층;상기 하부 금속 디스크 어레이 시드층 상에 정렬되어 배치된 중간 금속 디스크 어레이층; 및상기 중간 금속 디스크 어레이 층 상이 정렬되어 배치된 금속 디스크 어레이 오믹 콘택층을 포함하고,상기 하부 금속 디스크 어레이 시드층은 20 nm 이하의 크롬(Cr) 또는 Ti/Pt 이고,상기 중간 금속 디스크 어레이 층은 금(Au) 또는 은(Ag)이고,상기 금속 디스크 어레이 오믹 콘택층은 팔라듐(Pd)인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
13 13
제11 항에 있어서,상기 제1 서브 셀은 InGaP 서브 셀이고, 상기 제1 서브 셀의 파장 대역은 400 nm-600nm이고,상기 제2 서브 셀은 GaAs 서브 셀이고, 상기 제2 서브 셀의 파장 대역은 600-800nm이고,상기 제3 서브 셀은 InGaAsP 서브 셀이고, 상기 제3 서브 셀의 파장 대역은 800nm-1000nm이고,상기 제4 서브 셀은 InGaAs 서브 셀이고, 상기 제4 서브 셀의 파장 대역은 1000nm-1300nm인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
14 14
제11 항에 있어서,상기 금속 디스크 어레이의 피치는 100 nm 내지 300 nm인 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
15 15
제13 항에 있어서,제1 서브 셀은:제1 AlAs 희생층 상에 배치된 p+-GaAs 컨택층; p+-GaAs 컨택층 상에 배치된 p+-AlInP 창문층; 상기 p+-AlInP 창문층 상에 배치된 p+-InGaP 에미터층; 및 상기 p+-InGaP 에미터층 상에 배치된 n-InGaP 베이스층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
16 16
제13 항에 있어서,제2 서브 셀은:상기 GaAs 터널 접합층 상에 배치된 p+-GaAs 컨택층; 상기 p+-GaAs 컨택층 상에 배치된 p+-AlGaAs 창문층; 상기 p+-AlGaAs 창문층 상에 배치된 p+-GaAs 에미터층; 상기 p+-GaAs 에미터층 상에 배치된 n-GaAs 베이스 층; 상기 n-GaAs 베이스 층 상에 배치된 n-AlGaAs 백 서피스 필드층; 및 상기 n-AlGaAs 백 서피스 필드층 상에 배치된 n++-GaAs 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
17 17
제13 항에 있어서,상기 제3 서브 셀은:상기 제2 AlAs 희생층 상에 배치된 p++-InGaAs 콘택층; 상기 p++-InGaAs 콘택층 상에 배치된 p+-InP 창문층; 상기 p+-InP 창문층 상에 배치된 p+-InGaAsP 에미터층; 상기 p+-InGaAsP 에미터층 상에 배치된 n-InGaAsP 베이스층; 및 상기 n-InGaAsP 베이스층 상에 배치된 n-InP 백 서피스 필드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
18 18
제13 항에 있어서,상기 제4 서브 셀은:상기 InGaAs 터널 접합층 상에 배치된 p+-InP 콘택층; 상기 p+-InP 콘택층 상에 배치된 p+-InP 창문층; 상기 p+-InP 창문층 상에 배치된 p+-InGaAs 에미터층; 상기 p+-InGaAs 에미터층 상에 배치된 n-InGaAs 베이스층; 상기 n-InGaAs 베이스층 상에 배치된 n-InP 백 서피스 필드층; 및 상기 n-InP 백 서피스 필드층 상에 배치된 n+-InP 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06780023 JP 일본 FAMILY
2 JP31515510 JP 일본 FAMILY
3 US10811551 US 미국 FAMILY
4 US20190157493 US 미국 FAMILY
5 WO2018097531 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2019515510 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2019157493 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2018097531 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통산자원부 한국표준과학연구원 에너지기술개발사업 4중접합 웨이퍼본딩 기술을 이용한 초고효율 플렉시블 III-V 태양전지 모듈 개발
2 미래창조과학부 한국표준과학연구 한국표준과학연구원 기관고유사업 다기능 광전자 소자 융합 연구