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기재; 및기재 상에 복수의 금속 나노보울(nanobowl)이 균일하게 배열된 구조를 가지고,금속 나노보울(nanobowl) 내부에 금속 나노로드(nanorod)가 패킹된 구조이며,금속 나노보울 내부의 금속 나노로드 사이의 간격 및 금속 나노로드와 금속 나노보울 사이의 간격이 평균 1 내지 10nm이고,금속 나노로드는 금속 나노보울 내에서 금속 나노보울의 바닥면으로부터 수직된 방향으로 성장한 형태로 패킹된 구조인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 기판을 포함하는 센서
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제1항에 있어서,금속 나노보울은, 기재와 금속 나노보울의 바닥면이 접점을 이루며 형성된 사발, 반구, 접시 또는 트레이 형태이고,상기 금속 나노보울의 가장 긴 직경은 평균 100 ㎚ 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 기판을 포함하는 센서
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제1항에 있어서,금속 나노보울 또는 금속 나노로드를 이루는 금속은 각각 독립적으로 금, 은, 백금, 구리, 주석 및 청동으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 기판을 포함하는 센서
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제4항에 있어서,금속 나노보울은 금(Au)으로 이루어지고, 금속 나노로드는 은(Ag)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 기판을 포함하는 센서
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기재 상에 금속 나노보울(nanobowl)이 배열된 고분자 수지층이 합지된 구조에 과전압을 인가하여 금속 나노보울(nanobowl) 내에 금속 나노로드를 성장시키는 단계; 및고분자 수지를 제거하는 단계를 포함하고,금속 나노보울 내에 금속 나노로드를 성장시키는 단계에서, 인가되는 과전압의 절대값은 2
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제6항에 있어서,고분자 수지층에서, 금속 나노보울 내부의 금속 나노로드 사이의 간격 및 금속 나노로드와 금속 나노보울 사이의 간격은 평균 1 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 센서용 표면증강 라만 기판의 제조방법
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제6항에 있어서,금속 나노보울 또는 금속 나노로드를 이루는 금속은 각각 독립적으로 금, 은, 백금, 구리, 주석 및 청동으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서용 표면증강 라만 기판의 제조방법
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