| 1 |
1
하부 전극층을 포함하는 유연성 기판;상기 유연성 기판의 상기 하부 전극층과 접촉하는 InGaAs 태양 전지; 및상기 InGaAs 태양 전지 상에 배치되고 상기 InGaAs 태양 전지와 직렬 연결된 GaAs 태양 전지;를 포함하고,상기 GaAs 태양 전지는 그 하부면에 형성된 금속 나노디스크 어레이를 포함하고,상기 금속 나노디스크 어레이의 하부에는 상기 금속 나노디스크 어레이와 정렬된 빈공간 어레이가 배치되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 InGaAs 태양 전지는:상기 하부 전극층 상에 배치된 하부 금속 접착층;상기 하부 금속 접착층 상에 배치된 반도체 접착층;상기 반도체 접착층 상에 배치된 상부 금속 접착층;상기 상부 금속 접착층 상에 배치된 n+-InP 컨택층;상기 n+-InP 컨택층 상에 배치된 n-InGaAs 베이스층;상기 n-InGaAs 베이스층 상에 배치된 p+-InGaAs 에미터층;상기 p+-InGaAs 에미터층 상에 배치된 p+-InP 윈도우층; 및상기 p+-InP 윈도우층 상에 배치된 p++- InGaAs 컨택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 GaAs 태양 전지는:상기 p++- InGaAs 컨택층 상에 배치된 n+-GaAs 컨택층;상기 n+-GaAs 컨택층 상에 배치된 n+-InGaP 백서피스필드층(back-surface field layer);상기 n+-InGaP 백서피스필드층 상에 배치된 n-GaAs 베이스층;상기 n-GaAs 베이스층 상에 배치된 p+-GaAs 에미터층; 상기 p+-GaAs 에미터층 상에 배치된 p+-InGaP 윈도우층; 및상기 p+-InGaP 윈도우층 상에 배치된 p+-GaAs 컨택층을 포함하고,상기 금속 나노디스크 어레이는 상기 n+-GaAs 컨택층의 하부면에 배치되고,상기 빈공간 어레이는 상기 p++- InGaAs 컨택층과 상기 금속 나노디스크 어레이 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 p+-GaAs 컨택층은 함몰부를 포함하고,상기 함몰부를 채우는 무반사코팅층; 및상기 p+-GaAs 컨택층 상에 배치된 상부 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 금속 나노디스크 어레이는 금(Au)이고, 상기 금속 나노디스크 어레이의 두께는 40nm 내지 60nm이고,상기 금속 나노디스크 어레이의 주기는 50nm 내지 200nm이고,상기 금속 나노디스크 어레이의 지름은 30nm 내지 120nm인 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지
|
| 6 |
6
n+-GaAs 기판 상에 GaAs 버퍼층, AlAs 희생층, p+-GaAs 컨택층, p+-InGaP 윈도우층, p+-GaAs 에미터층, n-GaAs 베이스층, n+-InGaP 백서피스필드층, 및 n+-GaAs 컨택층을 구비한 GaAs 태양전지를 준비하는 단계;상기 GaAs 태양전지의 n+-GaAs 컨택층에 형성된 홀 어레이의 하부면에 금속 나노디스크 어레이를 형성하고 상기 금속 나노디스크 어레이의 상부에는 빈 공간을 형성하는 단계;n+-InP 기판 상에 차례로 적층된 InP 버퍼층, AlAs 보조 희생층, p++-InGaAs 컨택층, p+-InP 윈도우층, p+-InGaAs 에미터층, n-InGaAs 베이스층, 및 n+-InP 컨택층을 구비한 InGaAs 태양전지를 준비하는 단계;상기 InGaAs 태양전지의 n+-InP 컨택층 상에 차례로 상부 금속 접착층, 반도체 접착층, 및 하부 금속 접착층을 적층하는 단계;상기 InGaAs 태양전지에 적층된 하부 금속 접착층과 하부 전극층을 포함하는 유연성 기판과 본딩하는 단계;상기 InGaAs 태양전지의 AlAs 보조 희생층을 제거하여 p++-InGaAs 컨택층을 노출시키는 단계;상기 InGaAs 태양전지의 상기 p++-InGaAs 컨택층과 상기 GaAs 태양전지의 n+-GaAs 컨택층을 웨이퍼 본딩하여 이중접합 태양 전지를 형성하는 단계; 및상기 이중접합 태양 전지에서 상기 GaAs 태양전지의 상기 AlAs 희생층을 제거하여 상기 p+-GaAs 컨택층을 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 p+-GaAs 컨택층 상에 국부적으로 상부 전극층을 형성하는 단계; 및상기 p+-GaAs 컨택층이 국부적으로 제거된 함몰부에 무반사코팅층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이중접합 태양전지의 제조 방법
|
