| 1 |
1
탐침형 원자 현미경(Scanning Probe Microscope)을 이용한 리소그래피 방법으로,상기 방법은, 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 기판에 고분자층을 코팅하는 단계;상기 고분자층에 탐침형 원자 현미경으로 다층 압입 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴 주변의 돌출부(bulge)를 제거하는 단계;상기 돌출부(bulge)를 제거하는 단계를 거친 다층 압입 패턴에 스탬프용 자외선 경화형 고분자를 도포하고 80℃에서 4 시간 동안 어닐링(annealing)하여 스탬프를 제작하는 단계; 상기 스탬프를 전사용 고분자가 코팅된 기판에 위치시키고 130℃에서 30분 내지 24 시간 동안 어닐링(annealing)하고 냉각하여 모세관력 리소그래피로 복제 패턴을 제조하는 단계; 및상기 스탬프를 제거하는 단계를 포함하고,상기 돌출부를 제거하는 단계는 알코올 및 증류수가 혼합된 수용액을 다층 압입 패턴에 접촉시키며,상기 고분자층은 2 가지 이상의 서로 다른 고분자층을 포함하고, 상기 고분자는 폴리옥시메틸렌, 폴리아크릴, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 호모폴리머 또는 폴리스티렌 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌, 고충격 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 호모폴리머 또는 폴리프로필렌 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 글리콜 변성 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르-에스테르 공중합체, 폴리에테르-아미드 공중합체, 나일론 6, 나일론 6,6, 나일론 6,10, 나일론 6,12, 나일론 11, 나일론 12, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 에틸렌 프로필렌 고무, 에틸렌 프로필렌 디엔 모노머 고무, 폴리아릴설폰, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌옥사이드, 염화비닐클로라이드, 폴리설폰, 폴리에테르이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 불화프로필렌에틸렌, 폴리플루오로알콕시, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리비닐 플루오라이드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르 에테르케톤 또는 폴리에테르 케톤 케톤으로 이루어진 군에서 선택되는 2가지 이상이고,상기 탐침형 원자 현미경은 원자간력 현미경(Atomic force microscope)이며,상기 전사용 고분자는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 네오프렌, 폴리벤질메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리디메틸실록산, 폴리비닐포르말, 페릴렌, 폴리에스테르, 에폭시, 우레탄, 티오펜 폴리머, 폴리페닐렌 비닐렌 및 폴리에테르 중 어느 하나의 재료로 이루어진,탐침형 원자 현미경을 이용한 리소그래피 방법
|
