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저전압 파워-온 리셋 회로

  • 기술번호 : KST2019028229
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전압 파워-온 리셋 회로에 관한 것으로서, 전원전압으로부터 파워-온 활성화 신호를 생성 및 중지함과 아울러 비교기 출력 신호를 생성하는 리셋 신호 생성기와, 비교기 출력 신호와 파워-온 활성화 신호를 논리 연산하여 파워-온 리셋 신호를 출력하는 연산 소자와, 파워-온 활성화 신호의 생성에 대응하여 비교기 활성화 신호를 생성하여 리셋 신호 생성기로부터 비교기 출력 신호를 출력시키고, 파워-온 활성화 신호의 생성 중지에 대응하여 비교기 활성화 신호의 생성을 중지시켜 리셋 신호 생성기의 동작을 중지시키는 클럭 신호 생성기를 포함한다. 본 발명에 따르면, 파워-온 리셋 회로를 구성하는 전원전압 감지 회로에 MOS 트랜지스터를 이용함으로써 낮은 전원전압에서 리셋 신호를 용이하게 생성할 수 있을 뿐 아니라, 전원전압 감지 회로에 형성된 비교기를 제어하기 위해 클럭 신호 생성기를 추가하고, 클럭 신호 생성기를 이용하여 비교기를 제어함으로써 리셋 이후에 파워-온 리셋 회로의 동작을 차단하여 전력소모를 줄일 수 있다.
Int. CL G06F 1/24 (2017.01.01) G06F 1/08 (2006.01.01) G06F 1/32 (2019.01.01)
CPC G06F 1/24(2013.01) G06F 1/24(2013.01) G06F 1/24(2013.01) G06F 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020170029316 (2017.03.08)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1854620-0000 (2018.04.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양병도 대한민국 대전광역시 서구
2 김미정 대한민국 충청남도 금산군
3 우기찬 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 김태우 대한민국 경기도 파주시 금
5 황선광 대한민국 충청남도 서천군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0230288-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0186249-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0904270-06
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0167998-70
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0167991-51
7 등록결정서
Decision to grant
2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0195332-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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전원전압으로부터 파워-온 활성화 신호를 생성 및 중지함과 아울러 비교기 출력 신호를 생성하는 리셋 신호 생성기; 상기 비교기 출력 신호와 상기 파워-온 활성화 신호를 논리 연산하여 파워-온 리셋 신호를 출력하는 연산 소자; 및 상기 파워-온 활성화 신호의 생성에 대응하여 비교기 활성화 신호를 생성하여 상기 리셋 신호 생성기로부터 상기 비교기 출력 신호를 출력시키고, 상기 파워-온 활성화 신호의 생성 중지에 대응하여 비교기 활성화 신호의 생성을 중지시켜 상기 리셋 신호 생성기의 동작을 중지시키는 클럭 신호 생성기를 포함하고,상기 리셋 신호 생성기는, 상기 비교기 활성화 신호를 이용하여 클럭 발진을 활성화시켜 파워-온 활성화 신호를 출력하는 클럭 발진 활성화 회로; 및 상기 파워-온 활성화 신호에 의해 동작하여 전원전압을 감지하고, 설정된 저항에 따라 감지된 전원전압의 비교를 통해 비교기 출력 신호를 출력하는 전원전압 감지 회로를 포함하며,상기 클럭 발진 활성화 회로는,전원전압과 접지 사이에 저항 및 N 채널 MOS 트랜지스터가 직렬 접속되어 있으며, N 채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자와 베이스 단자가 서로 접속되어 있으며,전원전압과 접지 사이에 P 채널 MOS 트랜지스터와 저항이 직렬 접속되어 있으며, P 채널 MOS 트랜지스터의 베이스 단자는 N 채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자에 접속되어 있으며,P 채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자와 저항 사이의 접점에 인버터(I1)가 접속되며,상기 전원전압 감지 회로는,상기 클럭 발진 활성화 회로의 인버터(I1)에 연결된 인버터(I2)에 접속되며;전원전압이 소스 단자에 인가되며, 베이스 단자는 인버터(I2)에 접속되며, 드레인 단자는 저항에 접속되는 P 채널 MOS 트랜지스터,저항과 접지 사이에 저항과 N 채널 MOS 트랜지스터가 직렬 접속되어 있으며, N 채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자와 베이스 단자가 서로 접속되어 있으며,저항과 접지 사이에 2개의 저항과 N 채널 MOS 트랜지스터가 직렬 접속되어 있으며, N 채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자와 베이스 단자가 서로 접속되어 있으며,저항과 N 채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자는 비반전 단자와 접속되고, 2개의 저항 사이의 점점이 반전 단자와 접속되는 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 저전압 파워-온 리셋 회로
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제1항에 있어서,상기 클럭 신호 생성기는,상기 파워-온 활성화 신호로부터 발진이 이루어져 클럭을 생성하는 발진기; 및상기 발진기에서 출력된 클럭을 분주하여 출력하는 클럭 디바이더를 포함하는 저전압 파워-온 리셋 회로
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 충북대학교 산학협력단 기초연구사업 복합 센서 측정을 위한 초저전압 회로 개발