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적외선 감지 소자 및 적외선 감지 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019028315
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 적외선 감지 소자는, N 타입 반도체; 상기 N 타입 반도체 위에 적층되어 상기 N 타입 반도체와 PN 접합 구조를 형성하는 P 타입 반도체; 상기 PN 접합 구조 위에 형성되는 자연 산화막; 및 16족 원소와 12족 원소의 이성분계 물질로 형성되고, 상기 자연 산화막 위에 증착되는 표면 보호막을 포함한다.본 발명의 적외선 감지 소자의 제조방법은, (a) N 타입 반도체 위에 P 타입 반도체를 성장시켜 PN 접합 구조를 형성하는 단계; (b) 상기 PN 접합 구조의 표면에 형성된 자연 산화막을 식각에 의해 제거하는 단계; 및 (c) 상기 자연 산화막의 제거 후 다시 형성된 자연 산화막 위에, 16족 원소와 12족 원소의 이성분계 물질로 형성되는 표면 보호막을 증착하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/09 (2006.01.01) H01L 31/109 (2006.01.01) H01L 31/0264 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01)
출원번호/일자 1020150165786 (2015.11.25)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1712892-0000 (2017.02.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박세훈 대한민국 서울특별시 동작구
2 윤의준 대한민국 서울특별시 용산구
3 박용조 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김치연 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-1152513-20
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0441166-38
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0815151-24
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0815167-54
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0941775-17
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0103237-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0103226-39
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0139995-44
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번호 청구항
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(a) N 타입 반도체 위에 P 타입 반도체를 성장시켜 PN 접합 구조를 형성하는 단계;(b) 상기 PN 접합 구조의 표면에 형성된 자연 산화막을 식각에 의해 제거하는 단계; 및(c) 상기 자연 산화막의 제거 후 공기 중에 노출됨에 따라 다시 형성된 자연 산화막 위에, 16족 원소와 12족 원소의 이성분계 물질로 형성되는 표면 보호막을 증착하는 단계를 포함하고,상기 이성분계 물질은 화학식 ABx로 표시되는 물질이며,상기 A는 16족 원소, 상기 B는 12족 원소를 의미하고, 상기 이성분계 물질의 조성비를 결정하는 x는 0
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제7항에 있어서,상기 자연 산화막을 식각에 의해 제거하는 단계에서는,hydrofluoric acid와 물로 이루어진 용액, lactic acid와 nitric acid로 이루어진 용액 및 citric acid와 과산화수소로 이루어진 용액으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 용액을 이용하여 상기 자연 산화막을 식각하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 16족 원소는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나를 포함하고,상기 12족 원소는 아연(Zn) 및 카드뮴(Cd) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 소자의 제조방법
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