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제1 및 제2 고주파 신호를 각각 수신하는 제1 및 제2 신호 수신부;상기 제1 신호 수신부로부터 상기 제1 고주파 신호를 수신하고, 상기 제1 고주파 신호로부터 제1 중간 주파수 신호를 생성하는 제1 신호 혼합부;상기 제2 신호 수신부로부터 상기 제2 고주파 신호를 수신하고, 상기 제2 고주파 신호로부터 제2 중간 주파수 신호를 생성하는 제2 신호 혼합부;상기 제1 및 제2 신호 혼합부가 상기 제1 및 제2 중간 주파수 신호를 생성하는데 이용하는 국부 발진 신호를 생성하는 국부 발진부;상기 국부 발진부가 생성한 상기 국부 발진 신호에 응답하여, 상기 국부 발진 신호를 제1 및 제2 국부 발진 신호로 각각 상기 제1 및 제2 신호 혼합부에 분배하는 능동 분배부; 및상기 제1 및 제2 신호 수신부 각각의 게이트 전압을 온도에 따라 조절하여, 상기 제1 및 제2 신호 수신부의 온도 변화를 보상하는 제1 및 제2 온도 보상 회로;를 포함하되,상기 제1 및 제2 신호 수신부는,하나 이상의 트랜지스터로 이루어진 저잡음 증폭기를 포함하고,상기 제1 및 제2 온도 보상 회로는,하나 이상의 반도체 소자;하나 이상의 다이오드; 및상기 하나 이상의 반도체 소자에서 온도에 따라 증감되는 전류 값을 전압 값으로 바꾸는 하나 이상의 저항;을 포함하고,상기 저잡음 증폭기에 포함된 상기 하나 이상의 트랜지스터 중 적어도 가장 앞 단에 구비된 트랜지스터에 대하여 온도 변화를 보상하되,상기 하나 이상의 반도체 소자 및 다이오드는,상기 제1 및 제2 신호 수신부와 동일한 공정으로 집적된 반도체 소자 및 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 듀얼 채널 수신 장치
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제1항에 있어서,상기 능동 분배부는,상기 국부 발진 신호를 수신하는 입력 포트와 상기 제1 및 제2 국부 발진 신호를 각각 전송하는 제1 및 제2 출력 포트를 구비하는 것을 특징으로 하는 듀얼 채널 수신 장치
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제2항에 있어서,상기 입력 포트는, 제1 및 제2 트랜지스터의 베이스들 그리고 상기 국부 발진부와 연결되고,상기 제1 출력 포트는, 상기 제1 트랜지스터의 콜렉터 그리고 상기 제1 신호 혼합부와 연결되고,상기 제2 출력 포트는, 상기 제2 트랜지스터의 콜렉터 그리고 상기 제2 신호 혼합부와 연결되고,상기 제1 및 제2 트랜지스터의 에미터들은 공통 접지 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 듀얼 채널 수신 장치
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 출력 포트에 서로 다른 양단이 연결되는 수동 소자를 더 포함하되,상기 수동 소자는, 저항인 것을 특징으로 하는 듀얼 채널 수신 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는,BJT(Bipolar Junction Transistor) 또는 FET(Field Effect Transistor) 소자인 것을 특징으로 하는 듀얼 채널 수신 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 온도 보상 회로는,상기 하나 이상의 트랜지스터 모두에 대하여 온도 변화를 보상하는 것을 특징으로 하는 듀얼 채널 수신 장치
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제1항 내지 제4항, 제6항 및 제11항 중 어느 한 항에 따르는 듀얼 채널 수신 장치를 구비하는 위상 배열 안테나
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