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감광성 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019028402
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 감광성 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, InP 기판(110)의 상부에 형성한 InGaAs 식각멈춤층(120), InP 전극층(130), InGaAs 활성층(140), InP 덮개층(150)을 포함하고, 상기 InP 덮개층(150)에 형성한 활성화 영역(160) 및 가드링 영역(170,170a)과, 상기 InP 덮개층(150)의 상부에 형성한 표면 보호막(180) 및 상부 전극층(190)을 포함한다. 본 발명은 기존의 감광성 반도체 소자보다 개선된 크로스토크 특성을 가지며, 습식 식각을 통한 단일 확산 공정을 통해 간단한 공정으로 가드링 영역을 제작할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01)
출원번호/일자 1020160041760 (2016.04.05)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1738939-0000 (2017.05.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종화 대한민국 대전광역시 서구
2 양경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 노인섭 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김영준 대한민국 경기도 오산시
5 김남환 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0329521-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0145876-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0810012-72
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0007278-73
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0007279-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0339700-39
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번호 청구항
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InP 기판의 상부에 InGaAs 식각멈춤층, InP 전극층, InGaAs 활성층, InP 덮개층을 형성하는 단계;상기 InP 덮개층에 활성화 영역 및 가드링 영역을 형성하는 단계; 및상기 InP 덮개층의 상부에 표면 보호막 및 상부 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 InP 덮개층에 활성화 영역 및 가드링 영역을 형성하는 단계는,습식 식각 용액을 이용하여 상기 InP 덮개층의 가드링 영역이 형성될 부분을소정 깊이로 식각하는 과정과, 상기 활성화 영역이 형성될 부분과 상기 소정 깊이로 식각되어 가드링 영역이 형성될 부분에 Zn-SOG 확산 공정을 수행하여 상기 활성화 영역 및 가드링 영역을 동시에 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 반도체 소자 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 습식 식각 용액은 H3PO4+HCl, HBr, Br 중 선택된 1종 기반의 습식 식각 용액인 것을 특징으로 하는 감광성 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.