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기판 위에 두께 방향으로 차례로 형성되는 광 흡수층, 활성층 및 표면 보호막을 포함하는 평면형 포토 다이오드에 있어서,상기 활성층은 상기 광 흡수층 및 표면 보호막의 사이에 배치되는 활성 영역을 구비하고,상기 평면형 포토 다이오드는,상기 활성 영역으로부터 외부로 연결되는 메인 전극; 및상기 활성층 또는 활성 영역의 전자가 상기 활성층 및 활성 영역이 상기 표면 보호막과 접하면서 이루는 접합면을 따라 축적되어 전자층을 형성함으로써 누설 전류를 발생시키는 것을 감소시키도록, 상기 표면 보호막 상에 적층 형성되고, 상기 활성 영역 및 활성층의 경계면으로부터 두께 방향 상측에 위치되며, 상기 접합면 측에 정공(hole)을 유도하도록 이루어지는 정공 유도 전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 정공 유도 전극은,상기 표면 보호막 상에서 상기 활성 영역의 외주에 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제2항에 있어서,상기 정공 유도 전극은,상기 표면 보호막 상에서 상기 메인 전극을 둘러싸는 원형 띠의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 표면 보호막은,SiO2 또는 SiNx의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 기판 및 광 흡수층 사이에 두께 방향으로 차례로 형성되는 식각 억제층 및 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제5항에 있어서,상기 기판은 불순물을 주입하지 않은 InP(인듐인)으로 형성되고,상기 식각 억제층은 불순물을 주입하지 않은 InGaAs(인듐갈륨비소)로 형성되고,상기 버퍼층은 n+형 InP로 형성되고,상기 광 흡수층은 불순물을 주입하지 않은 InGaAs로 형성되고,상기 활성층은 n-형 InP로 형성되고,상기 표면 보호막은 SiO2 또는 SiNx로 형성되고,상기 메인 전극 및 정공 유도 전극은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 활성 영역은 Zn SOG 마스크 층을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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제7항에 있어서,상기 Zn SOG의 마스크 층은 SiO2 또는 SiNx 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 평면형 포토 다이오드
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