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스위칭 경로 회로를 이용하여 광대역 특성을 구현한 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치

  • 기술번호 : KST2019028551
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일칩 고주파 집적 회로에 관한 것으로서, 더 상세하게는 스위칭 경로 회로를 이용하여 광대역 특성을 구현한 갈륨비소(GaAs) 단일칩 고주파 집적 회로 장치에 대한 것이다.본 발명에 따르면, 약 6 ~ 18 GHz 대역의 초 광대역에서 동작하는 전자전용 다기능 집적회로를 갈륨비소(GaAs) 공정을 이용하여 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 형태로 구현할 수 있다.
Int. CL H03F 3/19 (2006.01.01) H03F 3/21 (2006.01.01) H03F 3/60 (2006.01.01) H03F 1/56 (2006.01.01) H03K 5/135 (2006.01.01) H03K 17/693 (2006.01.01)
CPC H03F 3/19(2013.01) H03F 3/19(2013.01) H03F 3/19(2013.01) H03F 3/19(2013.01) H03F 3/19(2013.01) H03F 3/19(2013.01)
출원번호/일자 1020160139943 (2016.10.26)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1840566-0000 (2018.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인선 대한민국 대전광역시 유성구
2 이창훈 대한민국 대전광역시 서구
3 정진철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1041018-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.04 수리 (Accepted) 9-1-2017-0021086-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0480316-84
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0866763-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0866762-29
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0876883-71
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0038757-92
9 법정기간연장승인서
2018.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0010230-92
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0158414-28
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0158415-74
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0166584-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스위칭 경로 회로를 이용하여 광대역 특성을 구현한 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치에 있어서,다수의 개별 실시간 지연기 및 다수의 개별 감쇠기가 이득 특성 및 출력 파워 특성에 따라 개별 및 그룹 회로로 구성되어 상기 실시간 지연기와 상기 감쇠기의 이득 특성의 경사(slope)와 역경사 특성을 갖도록 다수의 증폭기와 교번하여 배치되며,상기 다수의 개별 실시간 지연기 및 다수의 개별 감쇠기는 스위칭 경로 회로로 이루어지며,상기 스위칭 경로 회로는 다수 기본 셀로 이루어지며 상기 기본 셀은 기준 경로와 시간 지연 경로를 갖는 제 1 경로 혹은 기준 경로와 감쇠 경로를 갖는 제 2 경로로 이루어지고, 상기 감쇠 경로는 광대역에서 반사손실 특성 및 입/출력 정합 특성을 위해 쌍의 저항이 직렬로 배치되고 하나의 저항이 병렬로 배치되어 T-형으로 이루어지며,상기 다수의 개별 실시간 지연기로 이루어지는 그룹 회로인 제 1 실시간 지연 회로로부터 일정 간격으로 제 1 내지 제 3 광대역 증폭기가 배치되고, 상기 제 1 광대역 증폭기와 제 2 광대역 증폭기 사이에 하나의 개별 실시간 지연기가 배치되며, 상기 하나의 실시간 지연기와 상기 제 2 광대역 증폭기 사이에 다수의 개별 감쇠기로 이루어지는 그룹 회로인 감쇠 회로가 배치되고, 상기 제 2 광대역 증폭기와 제 3 광대역 증폭기 사이에 하나의 개별 감쇠기가 배치되고, 상기 하나의 감쇠기와 상기 제 3 광대역 증폭기 사이에 제 2 실시간 지연 회로가 배치되며,상기 기준 경로는 광대역 주파수 특성을 갖는 마이크로스트립 선로이며,상기 시간 지연 경로는 직렬 인덕터 및 상기 직렬 인덕터의 앞과 뒤의 병렬 커패시터를 하나의 기본 셀로 하고, 필요한 시간 지연 값에 따라 기본 셀을 직렬로 배치하여 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 경로 또는 제 2 경로는 입력단 또는 출력단에 배치된 스위치에 의해 선택되는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치
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제 1 항에 있어서,상기 다수의 개별 실시간 지연기는 8-비트 디지털 실시간 지연기이고, 상기 다수의 개별 감쇠기는 7-비트 디지털 감쇠기인 것을 특징으로 하는 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 실시간 지연 회로, 제 1 내지 제 3 광대역 증폭기, 하나의 개별 실시간 지연기, 감쇠 회로 및 하나의 개별 감쇠기 및 제 2 실시간 지연 회로와 전기적으로 연결되는 디지털 직병렬 변환기가 배치되는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 스위치는 3개의 포트로 이루어진 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치이며, 직렬과 병렬에 각각 하나씩의 스위칭 FET(Field Effect Transistor)가 연결되는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 단일칩 고주파 집적 회로 장치
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.