| 1 |
1
단일 탄소 복합재의 전구체를 준비하는 단계;상기 전구체의 일부에 기공 조절용 수지를 함침하는 단계;상기 기공 조절용 수지가 함침된 전구체의 일부를 함침 탄화시켜 저밀도 탄소 복합재 층을 형성하는 단계; 및CVI 또는 CVD를 이용하여 상기 전구체의 다른 일부를 탄화시켜 고밀도 탄소 복합재 층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 저밀도 탄소 복합재 층과 고밀도 탄소 복합재 층은 상기 단일 탄소 복합재 내에서 물리적 특성이 서로 다른 별개의 층을 형성하는 탄소 복합재의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 기공 조절용 수지는 페놀 수지, 에폭시 수지 및 실리콘 변성 수지 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 복합재의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 기공 조절용 수지를 함침하는 단계는 상기 기공 조절용 수지가 저장된 저장용기에 상기 전구체의 일부를 함침시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 복합재의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 기공 조절용 수지를 함침하는 단계는 상기 전구체 내부에 형성된 기공의 분포를 조절하는 단계를 포함하고,상기 기공의 분포를 조절하는 단계는 상기 전구체 내의 기공으로 기공 조절용 수지의 함침 시 모세관 현상을 이용하여 기공 조절용 수지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소 복합재의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 전구체에 탄소의 CVI 또는 CVD를 시행하기 전에 Null gas, 아르곤 가스(Ar), 헬륨 가스(He) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 운반 가스를 삽입하여 반응로 내의 분위기 온도 및 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소 복합재의 제조방법
|
| 6 |
6
내부에 기공이 형성된 탄소 복합재의 전구체;상기 전구체의 일부에 페놀 수지를 함침시켜 감소된 상기 전구체의 기공을 통해 함침 탄화된 저밀도의 탄소 복합재 층; 및상기 전구체의 다른 일부를 CVI 또는 CVD에 의해 탄화시켜 형성된 고밀도의 탄소 복합재 층;을 포함하고, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 탄소 복합재
|
