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암전류가 작은 감광성 반도체 소자에 있어서,기판(110);상기 기판(110)의 상단면에 형성되는 하부 전극층(130);상기 하부 전극층(130)의 상단면에 형성되며 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140); 상기 활성층(140)의 상단면에 형성되며 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 가지며 상기 활성층(140)의 산화를 방지하는 덮개층(150); 및상기 활성화 영역(160)의 상단면에 형성되는 상부 전극층(180);을 포함하며,상기 상부 전극층(180)의 일부는 습식 식각을 통해 노출되는 하부 전극층(130)의 상단면에 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성화 영역(160)은 상기 덮개층(150)의 표면에서부터 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극층(130)과 기판(110)사이에 식각을 멈추기 위한 식각 멈춤층(120);을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 기판(110), 식각 멈춤층(120), 및 덮개층(150)의 재질은 InP이고, 상기 기판(110)은 격자 정합을 위해 일정 조성비의 InGaAs를 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성층(140)의 재질은 InGaAs인 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 덮개층(150)을 보호하기 위해 상기 덮개층(150)과 상기 상부 전극층(180) 사이에 형성되며 절연 물질을 증착하여 형성되는 표면 보호막(170);을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 암전류는 상기 덮개층(150)에서의 표면 누설 전류 성분과 상기 활성층(140)에서의 벌크전류 성분의 합인 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성화 영역(160)은 박막 스트레스가 최소화하기 위해 다중층의 확산 방지층을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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제 9 항에 있어서,상기 다중층의 확산방지층은 SiO2 및 SiNX으로 구성되는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자
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암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법에 있어서,(a) 기판(110)을 준비하는 단계;(b) 상기 기판(110)의 상단면에 하부 전극층(130)을 형성하는 단계;(c) 상기 하부 전극층(130)의 상단면에 입사광에 따라 전자 및 홀이 발생하는 활성층(140)을 형성하는 단계; (e) 일부에 상기 활성층(140)에서 발생한 소수 캐리어를 이동시키는 활성화 영역(160)을 가지며 상기 활성층(140)의 산화를 방지하는 덮개층(150)을 상기 활성층(140)의 상단면에 형성하는 단계; 및(f) 상기 활성화 영역(160)의 상단면에 상부 전극층(180)을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 (f) 단계는, 습식 식각을 통해 하부 전극층(130)의 일부 상단면을 노출하는 단계; 및상기 하부 전극층(130)의 일부 상단면에 상기 상부 전극층(180)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 (e) 단계는,(e-1) 상기 덮개층(150)의 상단 표면에 확산 방지층(151,152)을 형성하는 단계;(e-2) 상기 확산 방지층(152)에 감광액을 도포하여 감광층(153)을 형성하는 단계;(e-3) 상기 감광층(153)의 상단면에 마스크(154)를 설치하고 자외선 노광을 실시하는 단계;(e-4) 상기 노광후에는 마스크(154)를 제거하고, 사진 현상을 통해 사진 식각 공정을 수행하여 개구 부분(531)을 형성하는 단계; 및(e-5) 상기 감광층(153)을 박리하고, 상기 개구 부분(531)에 Zn SOG 도포하고 확산 공정을 수행하여 활성화 영역(160)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 확산 방지층은 박막 스트레스가 최소화하기 위해 다중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광성 반도체 소자 제조방법
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