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하기 화학식 1 및 하기 화학식 3이 결합된 구조를 가지는 하기 화학식 8 및 하기 화학식 2 및 하기 화학식 3이 결합된 구조를 가지는 하기 화학식 9를 포함하는 주쇄; 및상기 주쇄 양쪽 말단에 형성된 에폭시기; 를 포함하는,형상기억고분자:[화학식 1] (상기 n은 1 이상의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 화학식 2는, 폴리에틸렌 글리콜(Polyethylene glycol), 폴리프로필렌 글리콜(Poly propylene glycol), 폴리부틸렌 글리콜(Poly butylene glycol), 폴리 펜타 메틸렌 글리콜(Poly pentamethylene Glycol), 폴리헥사메틸렌 글리콜(Poly Hexamethylene glycol), 폴리 헵타 메틸렌 글리콜(Poly hepta methylen glycol)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것인, 형상기억고분자
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제1항에 있어서,상기 주쇄에 포함되는 화학식 1의 수평균분자량은, 300 내지 500인 것인,형상기억고분자
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4
제1항에 있어서,상기 주쇄에 포함되는 화학식 2의 수평균분자량은, 400 내지 600인 것인,형상기억고분자
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5
제1항에 있어서,상기 형상기억고분자는, 하기 화학식 4 내지 하기 화학식 7으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나의 화학식을 갖는 것인,형상기억고분자:[화학식 4](상기 n, n', n'' 및 m은 1 이상의 정수이다
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6
비스페놀 에이 디글리시딜 이써(Bisphenol A diglycidyl ether)에 아민계 경화제를 혼합한 후, 가열하여 제1 혼합물을 준비하는 단계; 및상기 제1 혼합물에 하기 화학식 10을 포함하는 고분자를 첨가한 후, 가열 및 혼합하여 제2 혼합물을 준비하는 단계;를 포함하는,형상기억고분자의 제조방법:[화학식 10](상기 m은 1 이상의 정수이고, 상기R는 단순결합, 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알킬렌, 알케닐렌, 시클로알킬렌, 아릴렌, 아릴알킬렌 또는 알키닐렌이다
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7
제6항에 있어서,상기 아민계 경화제는, 4,4-디아미노디페닐메탄(4,4-diaminodiphenylmethane), 4,4'-메틸렌비스 2-클로로아닐린(4,4'-methylene-bis(2-chloroaniline), 4,4'-디아미노1-1'-비페닐3,3'-디올(4,4'-diamino[1-1'-biphenyl]-3,3'-diol), 및 4,4'메틸렌비스 2-메틸아닐린(4,4'-methylene-bis(2-methylaniline) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 경화제인 것인,형상기억고분자의 제조방법
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8
제6항에 있어서,상기 화학식 10은, 폴리에틸렌 글리콜 디글리시딜 이써(Poly(ethylene glycol) diglycidyl ether), 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 이써(Poly (propylene glycol) diglycidyl ether), 폴리부틸렌 글리콜 디글리시딜 이써(Poly (butylene glycol) diglycidyl ether), 폴리 펜타 메틸렌 글리콜 디글리시딜 이써(Poly (penta methylene Glycol) diglycidyl ether), 폴리헥사메틸렌 글리콜 디글리시딜 이써(Poly (Hexa methylene glycol) diglycidyl ether) 및 폴리 헵타 메틸렌 글리콜 디글리시딜 이써(Poly (hepta methylen glycol) diglycidyl ether)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것인, 형상기억고분자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1 혼합물을 준비하는 단계에서, 상기 비스페놀 에이 디글리시딜 이써(Bisphenol A diglycidyl ether)의 수평균분자량은, 300 내지 500인 것인,형상기억고분자의 제조방법
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10
제6항에 있어서,상기 제1 혼합물을 준비하는 단계에서, 비스페놀 에이 디글리시딜 이써(Bisphenol A diglycidyl ether) 100 중량% 기준으로, 상기 아민계 경화제를 20 중량% 내지 25 중량% 혼합하는 것인, 형상기억고분자의 제조방법
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11
제6항에 있어서,상기 제1 혼합물을 준비하는 단계는, 50 ℃ 내지 80 ℃의 온도 조건에서 1 시간 내지 3 시간 동안 수행되는 것인,형상기억고분자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2 혼합물을 준비하는 단계에서, 상기 화학식 10을 포함하는 고분자의 수평균분자량은, 400 내지 600 인 것인, 형상기억고분자의 제조방법
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13
제6항에 있어서,상기 제2 혼합물을 준비하는 단계에서, 비스페놀 에이 디글리시딜 이써(Bisphenol A diglycidyl ether) 100 중량% 기준으로, 상기 화학식 10을 포함하는 고분자를 12 중량% 내지 18 중량%를 혼합하는 것인,형상기억고분자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2 혼합물을 준비하는 단계는, 40 ℃ 내지 70 ℃의 온도 조건에서 1 시간 내지 2 시간 동안 수행되는 것인,형상기억고분자의 제조방법
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제6항에 있어서,제2 혼합물을 준비하는 단계 후, 상기 제2 혼합물을 초음파 처리하는 초음파 처리 단계; 및상기 초음파 처리된 제2 혼합물을 감압한 후, 열처리하는 단계;를 더 포함하는, 형상기억고분자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 초음파 처리 단계는,초음파 분산기 내에서 수행되고,상기 초음파 분산기의 진동수는 35 kHz 내지 60 kHz인 것인,형상기억고분자의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 초음파 처리된 제2 혼합물을 감압한 후, 열처리하는 단계에서,상기 열처리는 140 ℃ 내지 160 ℃의 온도 조건에서, 2 시간 내지 4 시간 동안 수행되는 것인,형상기억고분자의 제조방법
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