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제1 방열부 상면의 중심부를 덮는 제1 금속층;상기 제1 방열부 상면의 가장자리부를 덮고, 상기 제1 금속층의 양 측벽과 접하는 제1 절연층;상기 제1 금속층 및 상기 제1 절연층 상에, 차례로 적층된 제1 반도체층, 활성층, 제2 반도체층 및 제2 방열부;상기 제2 반도체층의 중심부와 상기 제2 방열부 사이에 배치된 제2 금속층; 및상기 제2 반도체층의 가장자리부와 상기 제2 방열부 사이에 배치되고, 상기 제2 금속층의 양 측벽과 접하는 제2 절연층;을 포함하고,광도파로의 중심부에서 발생하는 열 렌즈 효과(thermal lensing effect)를 방지하기 위하여 상기 제1 금속층은 상기 광도파로의 중심부에서 발생하는 열을 상기 제1 방열부로 방출하고, 상기 제2 금속층은 상기 광도파로의 중심부에서 발생하는 열을 상기 제2 방열부로 방출하는, 고출력 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 제1 금속층은 Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta,Al, Pd, Pt, Si 중 적어도 한 성분 이상을 포함하는 금속, 합금 또는 고용체이고 상기 제1 절연층은 SiOx, SixNy, AlxOy 또는 HfxOy 층(x, y 는 자연수)인 고출력 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 반도체층은 제1 클래드층 및 제1 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 제2 클래드층 및 제2 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층을 포함하는 고출력 레이저 다이오드
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제 6 항에 있어서, 상기 제1 SCH층 및 상기 제2 SCH층은 GaiInjPk층(i+j+k=1, 0003c#i003c#1, 0003c#j003c#1, 0003c#k003c#1)이고, 상기 제1 클래드층은 AlaGabIncP N-type 반도체층(a+b+c=1, 0003c#a003c#1, 0003c#b003c#1, 0003c#c003c#1)이고 상기 제2 클래드층은 AleGafIngP P-type 반도체층(e+f+g =1, 0003c#e003c#1, 0003c#f003c#1, 0003c#g003c#1)이거나, 상기 제1 클래드층은 AlaGabIncP P-type 반도체층(a+b+c=1, 0003c#a003c#1, 0003c#b003c#1, 0003c#c003c#1)이고 상기 제2 클래드층은 AleGafIngP N-type 반도체층(e+f+g=1, 0003c#e003c#1, 0003c#f003c#1, 0003c#g003c#1)인 고출력 레이저 다이오드
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기판 상에 순차적으로 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 상면의 중심부를 덮는 제2 금속층을 형성하는 단계; 상기 제2 반도체층 상면의 가장자리부를 덮고 상기 제2 금속층의 양 측벽과 접하는 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 기판을 제거하는 단계; 상기 제1 반도체층 하부의 중심부에 제1 금속층 및 상기 제1 반도체층 하부의 가장자리부에 배치되고 상기 제1 금속층의 양 측벽과 접하는 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 제1 금속층 및 상기 제1 절연층의 하부에 제1 방열부를 형성하는 단계; 상기 제2 금속층 및 상기 제2 절연층의 상부에 제2 방열부를 형성하는 단계;를 포함하고,광도파로의 중심부에서 발생하는 열 렌즈 효과(thermal lensing effect)를 방지하기 위하여 상기 제1 금속층은 상기 광도파로의 중심부에서 발생하는 열을 상기 제1 방열부로 방출하고, 상기 제2 금속층은 상기 광도파로의 중심부에서 발생하는 열을 상기 제2 방열부로 방출하는, 고출력 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계는상기 기판과 상기 제1 반도체층 사이에, 순차적으로 희생층(sacrificial layer) 및 식각 정지층(etch stop layer)을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 금속층 및 상기 제1 절연층을 형성하는 단계는 상기 식각 정지층 하부의 중심부에 제1 금속층을 접합하고 상기 식각 정지층 하부의 가장자리부에 제1 절연층을 접합하는 고출력 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 기판을 제거하는 단계는, Epitaxial liftoff 또는 Laser liftoff 공정에 의해 상기 희생층을 식각하는 고출력 레이저 다이오드의 제조 방법
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