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입력 신호에 디지털 방식의 전치왜곡을 수행하는 전치왜곡 수행부;상기 전치왜곡 수행부에서 전치왜곡되어 비선형화된 입력 신호를 이용하여 아날로그 빔 포밍을 수행하는 아날로그 빔 포밍부;상기 아날로그 빔 포밍 된 신호의 전력을 증폭시켜 선형화 된 출력 신호를 생성하는 복수개의 전력 증폭기를 포함하는 전력 증폭부; 및상기 전치왜곡 수행부의 전치왜곡을 위한 왜곡 계수를 산출하되, 상기 왜곡 계수는 상기 전력 증폭부의 피드백 신호와 상기 전치왜곡 수행부의 비선형화 된 입력 신호에 기반하여 상기 전력 증폭부에 포함되는 모든 전력 증폭기의 비선형 특성을 최소화하도록 산출되는 왜곡 계수 산출부;를 포함하며,상기 전력 증폭부에 포함되는 모든 전력 증폭기의 비선형 특성은 하기 식1에 의해 산출하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템
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제 1항에 있어서,상기 왜곡 계수 산출부는, RLS(Recursive Least Squares) 및 LMS(Least Mean Square) 알고리즘 중 어느 하나에 의해 수행되는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템
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제 2항에 있어서,상기 왜곡 계수 산출부는, 상기 RLS 알고리즘에 의해 수행되는 경우, 하기 식2에 의해 왜곡 계수(w)를 산출하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템
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제 3항에 있어서,상기 왜곡 계수 산출부는, 하기 식3를 이용하여 상기 w 및 P를 초기화하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템
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a) 입력 신호를 전치왜곡하여 비선형 신호를 출력하는 단계;b) 상기 비선형 신호에 아날로그 빔 포밍을 수행하여 빔 포밍 신호를 송출하는 단계;c) 상기 빔 포밍 신호를 증폭하여 복수개의 출력 신호를 송출하는 단계; 및d) 상기 비선형 신호와 상기 복수개의 출력 신호의 피드백 신호를 이용하여 왜곡 계수를 산출하는 단계;를 포함하며상기 왜곡 계수는, 상기 복수개의 출력 신호의 피드백 신호와 상기 비선형 신호에 기반하여 모든 상기 복수개의 출력 신호의 비선형 특성을 최소화하도록 산출되어 상기 단계 a)에서 상기 입력 신호의 전치왜곡에 이용되며,모든 상기 복수개의 출력 신호의 비선형 특성은 하기 식4에 의해 산출하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템 전치왜곡 방법
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제 5항에 있어서,상기 단계 d)는, RLS(Recursive Least Squares) 및 LMS(Least Mean Square) 알고리즘 중 어느 하나에 의해 왜곡 계수를 산출하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템 전치왜곡 방법
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제 6항에 있어서,상기 단계 d)는, 상기 RLS 알고리즘에 의해 수행되는 경우, 하기 식5에 의해 왜곡 계수(w)를 산출하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템 전치왜곡 방법
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제 7항에 있어서,상기 단계 d)는, 하기 식6를 이용하여 상기 w 및 P를 초기화하는 전치왜곡 아날로그 빔 포밍 시스템 전치왜곡 방법
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