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페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지 및 그의 제조 방법

기술번호 : KST2019028939
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 제 1 전극, 제 1 비정질 실리콘 흡수층, 페로브스카이트 흡수층, 제 2 비정질 실리콘 흡수층 및 제 2 전극을 포함하는 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지의 제 1 비정질 실리콘 층과 제 2 비정질 실리콘 층은, 흡수층 역할을 하면서 추가적으로 신뢰성이 취약한 페로브스카이트 층을 수분 등의 외부 요인으로부터 보호하는 역할을 할 수 있다.
Int. CL	H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01)
CPC	H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01)
출원번호/일자	1020160003310 (2016.01.11)
출원인	한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1723797-0000 (2017.03.31)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20170407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.01.11)
심사청구항수	4

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한밭대학교 산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이승윤	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충정	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로**,층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한밭대학교 산학협력단		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2016-0028983-45
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.07.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.09.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2016-0113557-06
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.09.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0650271-71
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.10.25	수리 (Accepted)	1-1-2016-1037641-81
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.10.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1037642-26
7	등록결정서 Decision to grant	2017.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0224256-05
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.04.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5058417-94
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2017-5065033-29
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.12	수리 (Accepted)	4-1-2019-5072792-98

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판, 제 1 전극, 제 1 비정질 실리콘 흡수층, 페로브스카이트 흡수층, 제 2 비정질 실리콘 흡수층 및 제 2 전극을 순서대로 적층한 구조로서, 상기 페로브스카이트 흡수층은 ABX3(식 중, A는 메틸암모늄(CH3NH3+) 또는 에틸암모늄(CH3CH2NH3+)을 나타내고, B는 Pb 또는 Sn을 나타내고, X는 I, Br 또는 Cl을 나타냄)의 화학식을 갖는 페로브스카이트를 포함하며,상기 제 1 비정질 실리콘 흡수층 및 제 2 비정질 실리콘 흡수층의 두께는 동일 또는 상이하게 25 nm 내지 75 nm이고, 상기 페로브스카이트 흡수층의 두께는 50 nm 내지 150 nm로서,상기 페로브스카이트 흡수층에 의해 태양전지의 변환효율을 증가시키고, 상기 제 1 비정질 실리콘 흡수층 및 제 2 비정질 실리콘 흡수층에 의해 수분을 포함하는 외부 요인으로부터 상기 페로브스카이트 흡수층을 보호하되, 상기 제 1 비정질 실리콘 흡수층, 상기 페로브스카이트 흡수층 및 상기 제 2 비정질 실리콘 흡수층의 총 두께를 300nm 이하로 하여, 얇고 투명한 태양전지를 실현하기 위한 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은, 동일 또는 상이하게, ZnO, ITO(indium-tin oxide) 또는 FTO(fluorine-doped tin oxide)인, 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서,상기 기판은 보로실리케이트(borosilicate) 유리, 석영(quartz) 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 또는 폴리에테르술폰(PES)인, 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지
7	7 기판; 제 1 전극; 제 1 비정질 실리콘 흡수층; 페로브스카이트 흡수층; 제 2 비정질 실리콘 흡수층; 및 제 2 전극을 순서대로 적층하는 단계를 포함하고,상기 페로브스카이트 흡수층은 ABX3(식 중, A는 메틸암모늄(CH3NH3+) 또는 에틸암모늄(CH3CH2NH3+)을 나타내고, B는 Pb 또는 Sn을 나타내고, X는 I, Br 또는 Cl을 나타냄)의 화학식을 갖는 페로브스카이트를 포함하며,상기 제 1 비정질 실리콘 흡수층 및 제 2 비정질 실리콘 흡수층의 두께는 동일 또는 상이하게 25 nm 내지 75 nm이고, 상기 페로브스카이트 흡수층의 두께는 50 nm 내지 150 nm로서,상기 페로브스카이트 흡수층에 의해 태양전지의 변환효율을 증가시키고, 상기 제 1 비정질 실리콘 흡수층 및 제 2 비정질 실리콘 흡수층에 의해 수분을 포함하는 외부 요인으로부터 상기 페로브스카이트 흡수층을 보호하되, 상기 제 1 비정질 실리콘 흡수층, 상기 페로브스카이트 흡수층 및 상기 제 2 비정질 실리콘 흡수층의 총 두께를 300nm 이하로 하여, 얇고 투명한 태양전지를 실현하기 위한 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육부	한밭대학교	일반연구자지원사업	실리콘 박막 태양전지의 투명화 및 컬러화를 위한 파장선택 다층구조 연구

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1723797-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20160111 출원 번호 : 1020160003310 공고 연월일 : 20170407 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20170328 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 31/072 발명의 명칭 : 페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	100,500 원	2017년 04월 03일	납입
제 4 년분	금 액	64,000 원	2020년 03월 02일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2016-0028983-45
2	선행기술조사의뢰서	2016.07.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2016.09.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2016-0113557-06
4	의견제출통지서	2016.09.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0650271-71
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.10.25	수리 (Accepted)	1-1-2016-1037641-81
6	[명세서등 보정]보정서	2016.10.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1037642-26
7	등록결정서	2017.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0224256-05
8	출원인정보변경(경정)신고서	2017.04.14	수리 (Accepted)	4-1-2017-5058417-94
9	출원인정보변경(경정)신고서	2017.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2017-5065033-29
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.12	수리 (Accepted)	4-1-2019-5072792-98


과제고유번호	1345239556
세부과제번호	2013R1A1A2058709
연구과제명	실리콘 박막 태양전지의 투명화 및 컬러화를 위한 파장선택 다층구조 연구
성과구분	출원
부처명	교육부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2015
연구기간	201511~201610
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345239556
세부과제번호	2013R1A1A2058709
연구과제명	실리콘 박막 태양전지의 투명화 및 컬러화를 위한 파장선택 다층구조 연구
성과구분	등록
부처명	교육부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2015
연구기간	201511~201610
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020160117122]	칼코겐화물-비전도체 나노복합소재 박막을 포함하는 상변화 소자 및 그 제조방법(phase change device having chalcogenide-nonconductor nanocomposite material thin film and method of manufacturing the same)	새창보기
[1020160003310]	페로브스카이트-비정질 실리콘 이종접합 태양전지 및 그의 제조 방법	새창보기

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