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a) 메쉬형 전극이 구비된 투명 기판 상 네가티브(negative) 포토레지스트층을 형성하는 단계;b) 상기 메쉬형 전극을 광 마스크로 하고, 상기 메쉬형 전극이 구비된 투명 기판의 일 면의 대향면을 광 입사측으로, 광을 조사하여, 네가티브 포토레지스트층을 노광 및 현상하는 단계; 및c) 현상된 네가티브 포토레지스트를 증착 마스크로, 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 이상 선택되는 원소의 칼코젠 화합물을 포함하는 화합물 반도체를 증착함으로써, 상기 투명 기판에서 상기 메쉬형 전극이 위치하는 영역인 차광영역에만 광흡수체인 상기 화합물 반도체를 형성하는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,a) 단계 전,상기 메쉬형 전극 상부로 투명 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 a) 단계의 포토레지스트 층은 상기 투명 절연층 상부에 형성되는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서,b) 단계 후, 및 c) 단계 전,상기 현상된 네가티브 포토레지스트를 에칭 마스크로, 상기 투명 절연층을 에칭하는 단계;를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 3항에 있어서,c) 단계 후, 상기 현상된 네가티브 포토레지스트를 증착 마스크로, 버퍼물질을 증착하는 단계;를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 버퍼 물질 증착 후, 상기 현상된 네가티브 포토레지스트를 증착 마스크로, 투명 전극 물질을 증착하는 단계;를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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메쉬형 전극이 구비된 투명 기판 상 투명 절연층을 형성하는 단계;상기 투명 절연층 상부에 네가티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 메쉬형 전극을 광 마스크로 하고, 상기 메쉬형 전극이 구비된 투명 기판의 일 면의 대향면을 광 입사측으로, 광을 조사하여, 네가티브 포토레지스트층을 노광 및 현상하는 단계;현상된 네가티브 포토레지스트를 에칭 마스크로, 투명 절연층을 에칭하는 단계; 및현상된 네가티브 포토레지스트를 제거한 후, 에칭된 투명 절연층을 증착 마스크로, 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 이상 선택되는 원소의 칼코젠 화합물을 포함하는 화합물 반도체를 증착함으로써, 상기 투명 기판에서 상기 메쉬형 전극이 위치하는 영역인 차광영역에만 광흡수체인 상기 화합물 반도체를 형성하는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 에칭된 투명 절연층을 제거한 후, 버퍼층 및 투명 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 에칭된 투명 절연층을 증착 마스크로, 버퍼 물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 투명 절연층의 에칭은 습식 또는 건식 에칭인 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 1항 내지 제 9항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬형 전극은 다공 망 구조, 콤브(comb) 구조 또는 상호 맞물린(interdigitated) 구조를 갖는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 1항 내지 제 9항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 투명 기판 상 전도성 와이어가 분산된 분산액을 도포하고 건조하는 메쉬형 전극형성 단계;를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 1항 내지 제 9항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬형 전극은 몰리브덴(Mo), 도핑 원소로 도핑된 몰리브덴, 칼코젠화 몰리브덴, 은, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 아연, 니켈, 철 또는 이들의 합금인 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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