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후면전극이 형성된 기재; 상기 후면전극 상부에 위치하며 화합물 반도체인 광흡수층; 상기 광흡수층 상부에 위치하고, 상기 광흡수층과 접하며, 표면 요철을 갖는 반도체층;상기 반도체층 상부에 반도체층 표면과 접하여 위치하는 메쉬형 전면전극;을 포함하며,상기 메쉬형 전면전극은 전도성 와이어의 네트워크를 포함하는 다공성 네트워크 구조를 가지며,상기 전도성 와이어는 상기 반도체층의 요철을 갖는 표면과 평행한 표면 영역을 포함하며, 상기 표면 영역과 반도체층의 표면이 면접촉하며,상기 전도성 와이어는 단축 직경이 5 내지 500nm인 나노 와이어이며,상기 메쉬형 전면전극은 전도성 와이어의 표면을 감싸며, 상기 전도성 와이어의 적어도 일부를 반도체층 표면에 결착시키는 캡핑 층(capping layer)을 포함하며,상기 캡핑 층은 반도체인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전도성 와이어의 네트워크는 압착에 의해 상기 반도체층의 표면과 평행한 표면 영역이 형성되도록 물리적으로 변형된 전도성 와이어가 불규칙적으로 얽힌 구조체인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 반도체층은 n형 도펀트로 도핑되거나, 도핑되지 않은, ZnS(O,OH), Zn(O,S), ZnS, CdS, ZnxCd1-xS(0003c#x003c#1인 실수), In2S3, In(OH,S), SnS2, CdSe 및 ZnSe에서 하나 이상 선택되는 물질인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 캡핑층은 1 내지 100nm 두께인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광흡수층의 화합물 반도체는 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 칼코젠화합물인 화합물 반도체 태양전지
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a) 후면전극이 형성된 기재 상 화합물 반도체인 광흡수층을 형성하는 단계;b) 상기 광흡수층 상, 상기 광흡수층과 접하도록 반도체층을 형성하는 단계;c) 상기 반도체층 표면에 전도성 와이어를 도포하여 전도성 와이어 네트워크를 형성함에 따라 메쉬형 전면전극을 형성하는 단계; 및d) 상기 전도성 와이어의 표면을 감싸며, 상기 전도성 와이어의 적어도 일부를 반도체층 표면에 결착시키는 캡핑 층(capping layer)을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 메쉬형 전면전극은 전도성 와이어의 네트워크를 포함하는 다공성 네트워크 구조를 가지며,상기 전도성 와이어는 상기 반도체층의 요철을 갖는 표면과 평행한 표면 영역을 포함하며, 상기 표면 영역과 반도체층의 표면이 면접촉하며,상기 전도성 와이어는 단축 직경이 5 내지 500nm인 나노 와이어이며,상기 캡핑 층은 반도체인 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 c) 단계는,c1) 반도체층 표면에 전도성 와이어를 도포하여 전도성 와이어가 불규칙적으로 얽인 구조체를 제조하는 단계; 및c2) 상기 구조체를 압착하여 물리적으로 변형시키는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 d) 단계의 캡핑층은 증착 또는 전해도금에 의해 형성되는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법
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