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중성자, 감마선 및 엑스선 방사선을 동시에 측정할 수 있도록 상기 중성자의 양이 작거나 속도가 느린 열중성자를 검출하는 비례 계수관(Proportional Counter)과, 투과성이 강한 고속중성자를 측정하는 이온 챔버 검출기(Ion Chamber Detector) 및 저준위의 감마선 및 엑스선을 측정하는 섬광 검출기(Scintillation Detector)를 포함하는 검출부;상기 검출부를 제어하여 중성자 및 감마선, 엑스선 방사선을 검출하고, 상기 검출된 방사선을 초단위로 샘플링하며 누적된 펄스 및 전류값에 대한 방사선량 및 방사능량을 변환하는 메인엠피유(Main MCU);상기 메인엠피유(Main MCU)로부터 방사선 측정 결과와 상기 변환된 방사선량 및 방사능량 측정 수치를 유무선으로 전송받아 출력하고, 사용자에게 상기 검출부의 제어 조건 설정과 상기 검출부에 대한 캘리브레이션 기능 및 장치 세부 설정 기능을 제공하여 주기적으로 상기 검출부에 대한 시험 및 교정을 수행하며, 상기 설정의 변경을 함으로써 측정된 방사선 수치를 방사능 수치로 변경하고, 각 방사선에 대해 초당 카운트 수(cps), 방사선량률 및 누적선량으로 변환하는 표시부;상기 메인엠피유로부터 제어 신호를 입력받아 상기 검출부의 비례 계수관(Proportional Counter), 이온 챔버 검출기(Ion Chamber Detector) 및 섬광 검출기(Scintillation Detector)가 각각의 회로에 노이즈 및 상호간섭 없이 동작될 수 있도록 상기 각각의 검출기에 대응되는 전압을 공급하기 위해 300V ~ 2000V의 가변 전압을 생성하고, 상기 이온 챔버 검출기, 비례 계수관 및 섬광 검출기에 공급되는 전압에 따라 상기 가변 전압을 인가하는 가변 고전압 생성기(Variable High Voltage Generator)를 포함하되,상기 가변 고전압 생성기는상기 메인엠피유의 제어에 따라 동작되어 상기 섬광 검출기에는 600 ~ 1200V의 전압을 공급하며, 상기 비례 계수관에는 700 ~ 2000V의 전압을 공급하고, 상기 이온챔버 검출기에는 300 ~ 1000V의 전압을 공급하며,상기 섬광 검출기는검출된 미세 펄스 신호를 증폭하는 전하증폭기(Charge sensitive amp),상기 증폭된 신호를 펄스파형으로 정형화시키는 펄스파형증폭기(Pulse shaping amp),상기 정형화된 펄스를 특정 전압을 기준으로 변환하는 베이스라인리스토(Baseline restore) 및상기 펄스파형증폭기 및 베이스라인리스토를 거쳐 변환된 신호를 디지털 신호로 변환하는 판별기(Discriminator)를 포함하고,상기 이온 챔버 검출기(Ion Chamber Detector)는미세한 전류출력신호를 측정할 수 있도록 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 신호를 증폭하는 프리앰프(Pre-amp),상기 증폭된 신호를 디지털 신호로 변환하는 ADC(Analog Digital converter) 및전하커패시터(Charge Capacitor)를 포함하며,상기 비례 계수관(Proportional Counter)은미세한 전류출력신호를 측정할 수 있도록 전류를 전압으로 변환하고, 상기 변환된 신호를 증폭하는 프리앰프(Pre-amp),상기 증폭된 신호를 2차 증폭하는 전하증폭기(Charge sensitive amp),상기 증폭된 신호를 펄스파형으로 정형화시키는 펄스파형증폭기(Pulse shaping amp),상기 정형화된 펄스를 특정 전압을 기준으로 변환하는 베이스라인리스토(Baseline restore) 및상기 펄스파형증폭기 및 베이스라인리스토를 거쳐 변환된 신호를 디지털 신호로 변환하는 판별기(Discriminator)를 포함하는 중성자, 감마선, 엑스선 방사선 측정 및 통합 제어 시스템
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