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후면전극이 형성된 기재;상기 후면전극의 상부에 위치하며, 화합물 반도체를 포함하는 광흡수층;상기 광흡수층의 상부 중 일부에 형성됨으로써, 상부에 불연속적으로 위치하며, 상기 광흡수층과 접하는 버퍼층;상기 버퍼층의 상부에 위치하며, 상기 버퍼층과 접하는 전도성 와이어 네트워크;를 포함하고상기 버퍼층은 상기 광흡수층의 수직방향을 기준으로 상기 전도성 와이어 네트워크와 대응되는 형상을 가지는 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 태양전지는 전도성 와이어 네트워크가 형성된 면에서, 노출된 부분을 모두 커버하는 보호층을 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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제 3항에 있어서,상기 보호층의 두께는 10 내지 1000 ㎚인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 n형 도펀트로 도핑되거나, 도핑되지 않은, ZnS, CdS, ZnxCd1-xS(0003c#x003c#1인 실수), In2S3, SnS2, CdSe 및 ZnSe에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 광흡수층의 화합물 반도체는 구리 및 12족 내지 14족에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 원소의 칼코젠 화합물인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 와이어 네트워크는 태양전지의 표면을 면적 기준으로 1 내지 15% 덮는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전도성 와이어의 단축 직경은 5 ㎚ 내지 10 ㎛이며, 종횡비는 50 내지 20000인 화합물 반도체 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전도성 와이어 네트워크는 복수의 전도성 와이어가 서로 교차하여 형성된 메쉬구조를 포함하는 화합물 반도체 태양전지
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후면전극이 형성된 기재에 광흡수층을 형성하는 광흡수층 형성단계;상기 광흡수층 상에 광흡수층과 접하도록 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성단계;상기 버퍼층 상에 버퍼층과 접하도록 전도성 와이어 네트워크를 형성하는 전극 형성단계; 및상기 버퍼층에서, 전도성 와이어 네트워크와 접하지 않은 부분의 버퍼층을 전부 또는 일부 식각하는 식각단계;를 포함하는 화합물 반도체 태양전지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 전극 형성단계는 버퍼층의 표면에 전도성 와이어를 도포하여 전도성 와이어가 얽힌 구조체를 형성하는 도포단계; 및상기 구조체를 압착하여 물리적으로 변형하는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 태양전지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 전도성 와이어 네트워크는 태양전지의 표면을 면적 기준으로 1 내지 15% 덮는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양전지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 식각단계 후 전도성 와이어 네트워크가 형성된 면 전체를 커버하는 보호층을 형성하는 보호층 형성단계;를 더 포함하는 화합물 반도체 태양전지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 식각단계의 식각은 건식식각 및 습식식각에서 선택되는 하나 이상의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양전지 제조방법
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