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토양수분센서 디바이스용 고분자 봉지 산화물 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019029025
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 토양수분센서 디바이스용 고분자 봉지 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명의 산화물 박막 트랜지스터는, 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브층으로서 IGZO(Indium-Gailium-Zinc oxide)층, 소스 전극, 드레인 전극, 및 고분자층을 순차 형성한, 바톰 게이트형 TFT 구조로서, 상기 고분자층은, 상기 IGZO층 상부, 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 측면 및 상부를 포함하는 부분에 코팅되어 봉지된 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020170173774 (2017.12.18)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1983551-0000 (2019.05.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민회 대전광역시 유성구
2 박지원 충청남도 공주시 버드나무*길
3 김성훈 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1255682-34
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1304456-61
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0049139-43
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.18 수리 (Accepted) 9-1-2018-0017323-18
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0570929-83
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0101568-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0226527-42
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0226526-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0293714-80
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0492414-19
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0492415-54
14 등록결정서
Decision to grant
2019.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0357556-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 소스 전극과 드레인 전극, 및 고분자층을 순차 형성한, 바톰 게이트형 TFT 구조로서,상기 액티브층은 산화물 반도체로 이루어지며,상기 고분자층은, 상기 액티브층 상면, 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 측면 및 상면에 코팅되어, 상기 액티브층 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 봉지하고 있으며,상기 고분자층은 소정의 농도를 갖는 Polyvinyledene-di-fluoride-trifluoroethylene copolymer(P(VDF-TrFE))을 포함하는 용액을 스핀코팅하여 형성하되 70~130℃의 범위에서 열처리하여 형성되고,상기 고분자층에 접촉되는 수분이 상기 고분자층을 거쳐 상기 액티브층에 영향을 끼쳐 소스-드레인 전류 특성에 영향을 미치고, 상기 수분을 제거하고 건조하면 본래의 특성으로 돌아오는 가역적인 반응을 이용하여 수분센서에 적용을 위한 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 수분센서는 토양 수분센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 p형-도핑된 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 고분자층은 다공성 또는 소수성 고분자 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 고분자층은 Polyvinylalcohol(PVA), Polymethylmethacrylate(PMMA), 또는 CYTOP 중 하나 이상 더 혼합하고 스핀코팅하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 액티브층은 2종, 3종, 또는 4종의 원소를 포함하는 산화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 농림축산식품부 한밭대학교산학협력단 첨단생산기술개발사업 신소재를 이용한 저가형 센서 소자 개발