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기판;상기 기판 상에 형성되고, 주쇄 및 상기 주쇄에 화학적으로 결합한 측쇄를 갖는 광감성 공중합체를 포함하는 고분자 전하 저장층;상기 고분자 전하 저장층 상에 형성된 유기반도체 층;상기 유기반도체 층 상에 형성된 소스(Source) 및 드레인(Drain) 전극을 포함하며,상기 주쇄는 폴리이미드 주쇄이고,상기 측쇄는 포토크로믹 화합물을 포함하며,상기 포토크로믹 화합물은 트리아릴메탄, 1,2-디페닐에틸렌, 아미노아즈벤젠, 니트론, 풀기드, 스피로피란, 나프토피란, 및 퀴논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 유기전계효과 트랜지스터 메모리 장치
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제1항에 있어서, 중합체는 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 유기전계효과 트랜지스터 메모리 장치:[화학식 1]상기 화학식 1에서,X는 4가의 유기기이고,Y는 알킬렌 또는 아릴렌이며,Z는 단일결합, 산소, 황, 카보닐, 에테르, 에스테르, 알킬렌 및 아릴렌으로 이루어진 군으로부터 선택되며,Pc는 포토크로믹 화합물을 나타내고,l은 1 이상의 정수이다
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제 5 항에 있어서, 화학식 1로 표시되는 반복단위는 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위인 유기전계효과 트랜지스터 메모리 장치:[화학식 2]상기 화학식 2에서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로, 수소 또는 할로겐으로 치환되거나 비치환된 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고,Z는 단일결합, 산소, 황, 카보닐, 에테르, 에스테르, 알킬렌 및 아릴렌으로 이루어진 군으로부터 선택되며, Pc는 포토크로믹 화합물을 나타내고,l은 1 이상의 정수이다
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제 1 항에 있어서, 중합체는 하기 화학식 3의 반복단위를 가지는 유기전계효과 트랜지스터 메모리 장치:[화학식 3]상기 화학식 3에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다
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